磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（閃鋅礦）晶體結構。
| 磷化銦 | |
|---|---|
| |
| |
| 別名 | Indium(III) phosphide |
| 識別 | |
| CAS號 | 22398-80-7 
|
| PubChem | 31170 |
| ChemSpider | 28914 |
| SMILES |
|
| InChI |
|
| InChIKey | GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF |
| 性質 | |
| 化學式 | InP |
| 摩爾質量 | 145.792 g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 黑色立方晶體 |
| 密度 | 4.81 g/cm3（固體時） |
| 熔點 | 1062 °C（1335 K） |
| 溶解性 | 微溶於酸[1] |
| 能隙 | 1.344(300 K，直接帶隙) eV |
| 電子遷移率 | 5400 cm2/(V·s) (300 K) |
| 熱導率 | 0.68 W/(cm·K) (300 K) |
| 折光度n D |
3.1 (紅外線); 3.55 (632.8 nm)[2] |
| 結構 | |
| 晶體結構 | 閃鋅礦結構 |
| 晶格常數 | a = 5.8687 Å [3] |
| 配位幾何 | 四面體 |
| 熱力學 | |
| ΔfHm⦵298K | -88.7 kJ/mol |
| S⦵298K | 59.8 J/(mol·K) |
| 熱容 | 45.4 J/(mol·K)[4] |
| 危險性 | |
| MSDS | External MSDS |
| 歐盟編號 | 未列出 |
| 主要危害 | 有毒，會水解為磷化氫 |
| 相關物質 | |
| 其他陰離子 | 氮化銦 砷化銦 銻化銦 |
| 其他陽離子 | 磷化鋁 磷化鎵 |
| 相關化學品 | 磷化銦鎵 磷化鋁鎵銦 砷銻磷化鎵銦 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
製備
用途
磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接帶隙，適合作像雷射二極管等光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷為基礎的光電元件中的磊晶基板。
化學
參考資料
外部連結
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