磊晶(英語:Epitaxy),是指一種用於半導體元件製造過程中,在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長(Epitaxial Growth),或指以磊晶技術成長出的結晶,有時可能也概指以磊晶技術製作的晶粒。

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「磊晶 (晶體)」的各地常用名稱
中國大陸外延
臺灣磊晶[1]
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磊晶技術可用以製造電晶體CMOS集成電路等各種元件,尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓英語Epitaxial wafer時,磊晶尤其重要。

磊晶成長技術的種類

  • 化學氣相沉積
  • 分子束磊晶技術:在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術,相關可見真空蒸鍍技術。
  • 液相磊晶或稱液態磊晶(英語:Liquid Phase Epitaxy, LPE)的磊晶技術
  • 固相磊晶(英語:Solid Phase Epitaxy, SPE)的磊晶技術

參考來源

外部連結

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