3D XPoint(發音three dee cross point[1])是一種由英特爾美光科技於2015年7月宣佈的非揮發性記憶體(NVM)技術。英特爾為使用該技術的儲存裝置冠名Optane,而美光稱為QuantX。它通常被認為是一種基於相變化記憶體的技術,但也有其他可能性被提出。[2]但是2021年3月、美光出售相關工廠,而2022年七月、Intel也宣佈放棄此技術。

3D Cross Point 2層圖示

該種技術的材料和物理細節尚未公佈。位元儲存基於bulk電阻的變化,結合可堆疊的跨網格數據存取陣列。

美光的儲存解決方案副總裁說:「3D Crosspoint將是DRAM價格的一半左右,但會比NAND快閃記憶體貴4到5倍。」[3]相較NAND快閃記憶體,英特爾宣稱其有10倍的低延遲,3倍寫入耐久,4倍每秒寫入、3倍每秒讀取的效能提升,以及30%的功耗。[4][5]

背景與闡述

3D XPoint的開發始於2012年。英特爾和美光之前已開發了其他非揮發性相變化記憶體(PCM)技術;[注 1]美光Mark Durcan英語Mark Durcan說:3D XPoint架構不同於以前提供的PCM,並為快閃記憶體單元的選擇器和儲存部分採用硫族化物英語Chalcogenide glass材料,從而比傳統的PCM材料(例如GST英語GeSbTe)更快、更穩定。[7]

截至2015年,英特爾或美光尚未提供該技術的完整細節,儘管該項技術已經聲明「不基於電子」。[8]3D XPoint已經被聲明使用電阻並且是位元可定址。[9]類似Crossbar公司英語Crossbar (computer hardware manufacturer)正在開發的可變電阻式記憶體,但3D XPoint儲存的物理結構不同。3D XPoint的開發商表示其基於「bulk材料的電阻變化」。[10]英特爾行政總裁Brian Krzanich回應了對XPoint材料的提問,稱切換是基於「bulk材料效能」。[11]英特爾已表示3D XPoint不使用相變或憶阻器技術。[12]

根據最近的一篇文章,「似乎沒有其他供應商有能比擬XPoint效能和耐用性的類似的電阻式主記憶體/相變記憶體技術。」[13]

各個數據單元不需要電晶體,因此封裝密度將是DRAM的4倍。[14]

產品

在最初,由IM Flash Technologies英語IM Flash Technologies LLC(英特爾-美光合資)運營的位於猶他州李海晶圓廠在2015年生產了少量128 Gbit晶片,其堆疊兩個64 Gbit平面(plane)。[15][16]2016年初,IM Flash行政總裁Guy Blalock表示,晶片批次生產仍需約12至18個月。[17]

2015年中期,英特爾宣佈基於3D XPoint技術的Optane品牌[18],預計每位元價格將高於NAND但低於DRAM,具體仍取決於最終產品。[19]

2016年早期,IM Flash宣佈其首個固態硬碟世代將達到9微秒潛伏時間、95000 IOPS吞吐量。[17]2016年英特爾開發者討論區上演示的PCI Express(PCIe)140GB開發板在基準測試方面顯示了相較於PCIe NAND SSD 2.4-3倍的改進。[20]

2017年初,英特爾公佈了Optane品牌的中文名——閃騰,3月28日的發佈會上,閃騰更名為傲騰[21]產品會有固態硬碟和主記憶體兩種方式。

3月19日,英特爾發佈了傲騰固態硬碟——面向企業級數據中心的「Optane SSD DC P4800X」。[22][23]3月28日,英特爾發佈了傲騰主記憶體(Intel Optane Memory)。[注 2][24]

參見

註腳

參考資料

外部連結

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