硒化亞錫

硒化亞錫，又稱一硒化錫，是一種無機化合物，化學式為SnSe。它是窄帶隙(IV-VI)半導體，人們對其在低成本光伏器件和存儲器開關器件的應用有着相當大的興趣。^[2]硒化亞錫是典型的層狀金屬硫屬化物，^[3]即第16族陰離子（Se^2-）和正電性元素陽離子（Sn²⁺）以層狀結構排列。

硒化亞錫
別名	硒化錫(II)、一硒化錫
識別
CAS號	1315-06-6  Y
性質
化學式	SnSe
摩爾質量	197.67 g·mol⁻¹
外觀	鐵灰色粉末
氣味	無味
密度	6.179 g/cm3
熔點	861 °C（1134 K）
溶解性（水）	難溶
能隙	0.9 eV (indirect), 1.3 eV (direct)[1] eV
結構
晶體結構	正交晶系，oP8[1]
空間群	Pnma, No. 62[1]
危險性
警示術語	R：R23/25, R33, R50/53
安全術語	S：S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61
歐盟分類	有毒(T) 對環境有害(N)
相關物質
其他陰離子	氧化亞錫 硫化亞錫 碲化亞錫
其他陽離子	一硒化碳 一硒化矽 一硒化鍺 硒化鉛
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

硒化亞錫有着低導熱性和合適的導電性，為用於熱電材料提供了可能性。^[4]在2014年，西北大學的一個團隊在熱電材料效率方面創造了世界紀錄。^[5]

參考文獻

1. Carter, Robin; Suyetin, Mikhail; Lister, Samantha; Dyson, M. Adam; Trewhitt, Harrison; Goel, Sanam; Liu, Zheng; Suenaga, Kazu; Giusca, Cristina; Kashtiban, Reza J.; Hutchison, John L.; Dore, John C.; Bell, Gavin R.; Bichoutskaia, Elena; Sloan, Jeremy (2014). "Band gap expansion, shear inversion phase change behaviour and low-voltage induced crystal oscillation in low-dimensional tin selenide crystals". Dalton Trans. 43 (20): 7391. doi:10.1039/C4DT00185K. PMID 24637546.
2. Tin(II) selenide （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）. sigmaaldrich.com
3. Zhang, Chunli; Yin, Huanhuan; Han, Min; Dai, Zhihui; Pang, Huan; Zheng, Yulin; Lan, Ya-Qian; Bao, Jianchun; Zhu, Jianmin. Two-Dimensional Tin Selenide Nanostructures for Flexible All-Solid-State Supercapacitors. ACS Nano. 2014, 8 (4): 3761–70. PMID 24601530. doi:10.1021/nn5004315.
4. Northwestern University. "Surprising material could play huge role in saving energy: Tin selenide is best at converting waste heat to electricity." （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館） ScienceDaily, 17 April 2014.
5. Zhao, L. D.; Lo, S. H.; Zhang, Y; Sun, H; Tan, G; Uher, C; Wolverton, C; Dravid, V. P.; Kanatzidis, M. G. Ultralow thermal conductivity and high thermoelectric figure of merit in Sn Se crystals. Nature. 2014, 508 (7496): 373–7. PMID 24740068. doi:10.1038/nature13184.