絕緣閘雙極電晶體維基百科,自由的 encyclopedia 提示:此條目頁的主題不是LGBT。絕緣柵雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。傳統的BJT導通電阻小,但是驅動電流大,而MOSFET的導通電阻大,卻有着驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點:不僅驅動電流小,導通電阻也很低。 此條目包含過多行話或專業術語,可能需要簡化或提出進一步解釋。 (2014年3月12日) 三菱製大功率IGBT模塊 IGBT 的符號
提示:此條目頁的主題不是LGBT。絕緣柵雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。傳統的BJT導通電阻小,但是驅動電流大,而MOSFET的導通電阻大,卻有着驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點:不僅驅動電流小,導通電阻也很低。 此條目包含過多行話或專業術語,可能需要簡化或提出進一步解釋。 (2014年3月12日) 三菱製大功率IGBT模塊 IGBT 的符號