Plasma etching

（页面存档备份，存于互联网档案馆） of silicon and semiconductor wafers. Technology of dry etching （页面存档备份，存于互联网档案馆） or plasma etching of silicon and semiconductor wafers.

2009年，泛林集团在台湾对中微半导体提起专利诉讼，但被法院驳回。 2010年12月。中微半导体在上海对泛林集团提起反诉，指控其侵犯該公司的离子刻蚀（英语：Plasma etching）设备相关機密。 2017年3月，法院判决中微半导体胜诉，但泛林集团提起上诉。 2023年6月30日，上海市高级人民法院依然判决中微半导体胜诉。

汞反應產生三氟甲烷，這是第一個有效率製備三氟甲烷的方法。 在半導體產業中，三氟甲烷用在二氧化矽及氮化矽的電漿蝕刻（英语：plasma etching）（plasma etching）中。三氟甲烷也是一種制冷劑（冷媒），名稱為R-23或HFC-23，因為其不含氯，不會造成臭氧層破洞，有時會用來會取代造

反应离子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或简写为RIE）是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空)环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。 RIE系统的典型的设备（平行板式）一般包括

晶片处理 湿洗 平版照相术 光刻Litho 离子移植IMP 蚀刻（乾法刻蚀、湿法刻蚀、等离子蚀刻（英语：Plasma etching）） 热处理 快速热退火Annel 熔炉退火 热氧化 化学气相沉积 (CVD) 物理气相沉积 (PVD) 分子束外延 (MBE) 电化学沉积