Plasma etching

（页面存档备份，存于互联网档案馆） of silicon and semiconductor wafers. Technology of dry etching （页面存档备份，存于互联网档案馆） or plasma etching of silicon and semiconductor wafers.

17-21.  请检查|date=中的日期值 (帮助)[永久失效連結] Coburn, J. W. Plasma-assisted etching. Plasma Chemistry and Plasma Processing. 1982, 2 (1): 1–41. doi:10.1007/BF00566856

汞反應產生三氟甲烷，這是第一個有效率製備三氟甲烷的方法。 在半導體產業中，三氟甲烷用在二氧化矽及氮化矽的電漿蝕刻（英语：plasma etching）（plasma etching）中。三氟甲烷也是一種制冷劑（冷媒），名稱為R-23或HFC-23，因為其不含氯，不會造成臭氧層破洞，有時會用來會取代造

耿志远. 草酰氟分子(FCO)2的量子化学研究[J]. 宝鸡文理学院学报(自科版), 2007, 27(1):49-53. Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds （页面存档备份，存于互联网档案馆）, US

2009年，泛林集团在台湾对中微半导体提起专利诉讼，但被法院驳回。 2010年12月。中微半导体在上海对泛林集团提起反诉，指控其侵犯該公司的离子刻蚀（英语：Plasma etching）设备相关機密。 2017年3月，法院判决中微半导体胜诉，但泛林集团提起上诉。 2023年6月30日，上海市高级人民法院依然判决中微半导体胜诉。