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抑制性突觸後電位
抑制性突觸後神經電位（英語：Inhibitory postsynaptic potential，IPSP）是一種突觸後電位，可使突觸後神經元降低產生動作電位的可能。1950年代和1960年代，David P. Lloyd、John Eccles和RodolfoLlinás首先在運動神經元中研究IP
中型多棘神经元
projection neurons，简称SPNs）是一种特殊的丙胺基丁酸神經元（英语：GABAergic）抑制性（英语：Inhibitory postsynaptic potential）细胞，人类体内纹状体（一种基底核）中，95%的神经元都是由这种细胞构成。中型多棘神经元拥有两种表型：D1类（英语：
興奮，表現出強驚厥作用。在正常情況下，GABA作用於相應受體，使神經細胞膜的氯離子通透性增加而產生抑制性突觸後電位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)，神經細胞的興奮性亦相應下降。 另一方面，TETS可導致人體多器官損傷，提示其致毒機理尚未完全被探明。
精神藥理學
鈉離子通道打開會刺激性後突觸勢能（英语：Excitatory postsynaptic potential）（EPSP）；鉀離子通道或氯離子通道（英语：Chloride channel）打開會壓抑性後突觸勢能（英语：Inhibitory postsynaptic potential）（IPSP） 代謝型受體比起 ionotropic
agonists as potential treatment for psychostimulant abuse and addiction. Malenka RC, Nestler EJ, Hyman SE. Chapter 5: Excitatory and Inhibitory Amino Acids