斯特蘭斯基-克拉斯坦諾夫生長
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斯特蘭斯基-克拉斯坦諾夫生長簡稱S-K生長,是薄膜在結晶表面磊晶成長的三種主要模式之一。此生長機制包含兩個過程:首先在基板上吸附成薄膜並開始層狀累積,達到臨界厚度時,會因應力和化學能導致薄膜轉變為島狀成長模式[1][2][3][4] 。S-K生長最早由伊萬·斯特蘭斯基和Lyubomir Krastanov在1938年發現[5]。直到1958年,S-K生長模式、Volmer-Weber生長模式和Frank–van der Merwe生長模式才被恩斯特·鮑爾(Ernst Bauer)在他的著作中正式歸類為薄膜成長的三大主要機制。[6]
參考資料
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