外延 (晶體)

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。

「外延 (晶體)」的各地常用名稱
中國大陸	外延
臺灣	磊晶[1]

外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓（英語：Epitaxial wafer）時，外延尤其重要。

外延成長技術的種類

• 化學氣相沉積
• 分子束外延技術：在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術，相關可見真空蒸鍍技術。
• 液相外延或稱液態外延（英語：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的磊晶技術
• 固相外延（英語：Solid Phase Epitaxy, SPE）的磊晶技術

參考來源

文獻

• Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.

引用

1. Epitaxy. 國家教育研究院. [2016-01-24]. （原始內容存檔於2016-01-31） （中文）.（繁體中文）

外部連結

• epitaxy.net（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）: a central forum for the epitaxy-communities
• Deposition processes（頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）