前段製程[2]（英語：front-end-of-line，FEOL，中國大陸作前道工序[1]或前端工藝）是IC製造的第一部分，其中各個元件（晶體管、電容器、電阻器等）在半導體中進行圖案化。[3] FEOL通常涵蓋（但不包括）金屬互連層沉積之前的所有內容。[4][5]
BEOL （金屬化層）和FEOL （器件）。
CMOS製造工藝
對於CMOS工藝，FEOL包含形成隔離CMOS元件所需的所有製造步驟： [6]
- 選擇要使用的晶圓類型；晶圓的化學機械平坦化和清潔。
- 淺溝槽隔離(STI)（或早期工藝中的矽局部氧化 ，特徵尺寸>0.25 μm）
- 井區形成（Well formation）
- 柵極模塊形成
- 源極和漏極模塊形成
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