分子束外延（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使單晶材料生長的一種方法，由貝爾實驗室的J. R. 亞瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）於1960年代後期發明[1]。
方法
分子束外延於高真空或超高真空（ultra-high vacuum，10−8帕斯卡）的環境進行。分子束外延最重要的方面是其低沉積率，通常使薄膜以每小時低於3000納米的速度磊晶生長。如此低的沉積率要求真空程度足夠高，以達到其他沉積分子束式同等級別的潔淨程度。
在固體源的分子束外延過程中，諸如鎵、砷的元素，會以超純（ultra-pure）的形式在獨立的石英克努森容器（Knudsen Cell）中被加熱，直到它們開始緩慢升華。然後，這些氣態物質在晶圓上凝結，而且它們在那裡互相作用。以鎵和砷為例，上述作用可以產生單晶砷化鎵。術語「（分子）束」的意思是過程中的氣體原子並不產生相互作用，也不與真空室物質反應，除非它們接觸到晶圓。這是因為這些氣體具有較長的平均自由程。
外延過程中，反射式高能電子衍射（Reflection high-energy electron diffraction，縮寫：RHEED）經常被用來檢測晶體層次生長的進程。計算機能夠控制反應室前方的一個「閥門」，從而實現對每個層次的精確控制，其精確度可以達到單層原子。不同材料層次的精細結構可以通過這種方式產生。此種控制方式可以把電子束縛在一定空間裡，產生量子阱（quantum well）和量子點（quantum dot）。上述的「層」對於很多現代的半導體器件十分關鍵，包括激光二極管和發光二極管。
有的系統需要冷卻底層。生長室的超高真空環境必須使用一個低溫泵（cryopump）來維持，而液氮或低溫氮氣可以使內部溫度冷卻到77開爾文（−196攝氏度）[註 1]。低溫環境可以進一步降低真空中雜質的含量，為沉積薄膜提供更好的條件。在其他系統裡，晶體生長的晶圓可能會被安裝在一個旋轉的圓盤上，這個圓盤可以被加熱到幾百攝氏度。
分子束外延也曾被用於某些種類有機半導體（organic semiconductors）的沉積過程。在上述的情況中，被氣化、然後在晶圓沉積的是材料的有機分子而非原子。其他的分支還包括氣態源分子束外延（gas-source MBE）[2]，這一方式與化學氣相沉積（chemical vapor deposition）類似。
最新的分子束外延技術還在新型電子器件製造、電磁應用、光學應用等領域中，被用於氧化物材料的沉積。為了實現這些目的，分子束外延系統必須進行改進，從而能夠與氧源協同作用。[3]
ATG不穩定性
ATG不穩定性，全稱阿薩羅-蒂勒-格林菲爾德不穩定性（Asaro-Tiller-Grinfeld instability），或簡稱為格林菲爾德不穩定性，是分子束外延過程中經常遇到的一種彈性不穩定狀況。假設生長的薄膜和支撐晶體的晶格尺寸錯位（mismatch），彈性能量將會在生長的薄膜上積累。當其達到一定的轉折量時，薄膜可以通過分裂為幾個孤立塊的方式，使自由能量的數值降低，這樣積累的張力就可以得以釋放。上述的「轉折量」的數值取決於材料的楊氏模量（Young's modulus）、錯位的尺寸以及表面張力。
已經有不少關於ATG不穩定性在應用方面的研究正在進行，例如量子點的自組裝（self-assembly）[4]。
參考來源
外部連結
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