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克勞修斯-莫索提方程式Clausius-Mossotti equation)表達了線性介電質極化性相對電容率之間的關係,是因義大利物理學者莫索提Ottaviano-Fabrizio Mossotti)和德國物理學者魯道夫·克勞修斯而命名[1][2]。這方程式也可以更改為表達極化性折射率之間的關係,此時稱為洛倫茲-洛倫茨方程式Lorentz-Lorenz equation)。

極化性是一種微觀屬性,而相對電容率則是在介電質內部的一種巨觀屬性,所以,這方程式式連結了介電質關於電極化的微觀屬性與巨觀屬性。

導引

一個分子的極化性定義為[3]

其中,是分子的感應電偶極矩是作用於分子的電場

介電質電極化強度定義為總電偶極矩每單位面積:

其中,電極化強度是檢驗位置,分別是分子 的數量每單位面積與電偶極矩。

總合介電質內每一種分子的貢獻,就可以計算出介電質的電極化強度。將極化性的定義式代入,可以得到

當計算這方程式時,必需先知道在分子位置的電場,稱為「局域電場」。介電質內部的微觀電場,從一個位置到另外位置,其變化可能會相當劇烈,在電子質子附近,電場很大,距離稍微遠一點,電場呈平方反比減弱。所以,很難計算這麼複雜的電場的物理行為。幸運地是,對於大多數計算,並不需要這麼詳細的描述。所以,只要選擇一個足夠大的區域(例如,體積為、內中含有上千個分子的圓球體)來計算微觀電場的平均值,稱為「巨觀電場」,就可以足夠準確地計算出巨觀物理行為:

對於稀薄介電質,分子與分子之間的距離相隔很遠,鄰近分子的貢獻很小,局域電場可以近似為巨觀電場 

但對於緻密介電質,分子與分子之間的距離相隔很近,鄰近分子的貢獻很大,必需將鄰近分子的貢獻納入考量:

因為巨觀電場已經包括了電極化所產生的電場(稱為「去極化場」),為了不重覆計算,在計算時,必需將鄰近分子的真實貢獻減掉去極化場:

舉一個簡單案例,根據洛倫茲關係Lorentz Relation),對於立方晶系結構的晶體或各向同性的介電質,由於高度的對稱性,

現在思考以分子位置為圓心、體積為的圓球體,感受到外電場的作用,內部的束縛電荷會被電極化,從而產生電極化強度。假設在內部的電極化強度相當均勻,則電極化強度的電偶極矩之間的關係為

線性均勻介電質圓球體內部的電場[4]

綜合前面得到的結果:

對於各向同性線性、均勻的介電質,電極化率定義為

電極化率與極化性的關係為

由於相對電容率與電極化率的關係為

所以,電容率與極化性的關係為

這方程式就是克勞修斯-莫索提方程式。

電介質的折射率

其中,相對磁導率

對於大多數介電質,,所以,折射率近似為 。將折射率帶入克勞修斯-莫索提方程式,就可以給出洛倫茲-洛倫茨方程式[5]

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參考文獻

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