克勞修斯-莫索提方程式(Clausius-Mossotti equation)表達了線性介電質的極化性和相對電容率之間的關係,是因義大利物理學者莫索提(Ottaviano-Fabrizio Mossotti)和德國物理學者魯道夫·克勞修斯而命名[1][2]。這方程式也可以更改為表達極化性和折射率之間的關係,此時稱為洛倫茲-洛倫茨方程式(Lorentz-Lorenz equation)。
極化性是一種微觀屬性,而相對電容率則是在介電質內部的一種巨觀屬性,所以,這方程式式連結了介電質關於電極化的微觀屬性與巨觀屬性。
導引
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其中,是電極化強度,是檢驗位置,、分別是分子 的數量每單位面積與電偶極矩。
總合介電質內每一種分子的貢獻,就可以計算出介電質的電極化強度。將極化性的定義式代入,可以得到
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當計算這方程式時,必需先知道在分子位置的電場,稱為「局域電場」。介電質內部的微觀電場,從一個位置到另外位置,其變化可能會相當劇烈,在電子或質子附近,電場很大,距離稍微遠一點,電場呈平方反比減弱。所以,很難計算這麼複雜的電場的物理行為。幸運地是,對於大多數計算,並不需要這麼詳細的描述。所以,只要選擇一個足夠大的區域(例如,體積為、內中含有上千個分子的圓球體)來計算微觀電場的平均值,稱為「巨觀電場」,就可以足夠準確地計算出巨觀物理行為:
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對於稀薄介電質,分子與分子之間的距離相隔很遠,鄰近分子的貢獻很小,局域電場可以近似為巨觀電場 :
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但對於緻密介電質,分子與分子之間的距離相隔很近,鄰近分子的貢獻很大,必需將鄰近分子的貢獻納入考量:
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因為巨觀電場已經包括了電極化所產生的電場(稱為「去極化場」),為了不重覆計算,在計算時,必需將鄰近分子的真實貢獻減掉去極化場:
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舉一個簡單案例,根據洛倫茲關係(Lorentz Relation),對於立方晶系結構的晶體或各向同性的介電質,由於高度的對稱性, 。
現在思考以分子位置為圓心、體積為的圓球體,感受到外電場的作用,內部的束縛電荷會被電極化,從而產生電極化強度。假設在內部的電極化強度相當均勻,則電極化強度與的電偶極矩之間的關係為
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綜合前面得到的結果:
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電極化率與極化性的關係為
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由於相對電容率與電極化率的關係為
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所以,電容率與極化性的關係為
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這方程式就是克勞修斯-莫索提方程式。
電介質的折射率為
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其中,是相對磁導率。
對於大多數介電質,,所以,折射率近似為 。將折射率帶入克勞修斯-莫索提方程式,就可以給出洛倫茲-洛倫茨方程式[5]:
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參考文獻
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