三氧化二鋱

三氧化二鋱，化學式Tb₂O₃。

三氧化二鋱
IUPAC名 terbium(III) oxide
別名	氧化鋱(III) 倍半氧化鋱
識別
CAS號	12036-41-8  Y
PubChem	159410
SMILES	[O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3]
InChI	1/3O.2Tb/q3*-2;2*+3
EINECS	234-849-5
性質
化學式	O3Tb2
摩爾質量	365.85 g·mol−1
外觀	白色粉末
密度	7.91 g/cm3
熔點	2410 °C（2683 K）
結構
晶體結構	立方，cI80
空間群	Ia-3, No. 206[1]
危險性
歐盟危險性符號 刺激性 Xi
警示術語	R：R36/37/38
安全術語	S：S26-S36
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

性質

白色粉末。與其他主要鑭系氧化物類似，三氧化二鋱有兩種晶體結構。較穩定的一種結構是缺陷螢石型結構（方鐵錳礦（英語：Bixbyite）結構），晶格參數 a = 10.72 Å。^[2] 另一種結構則為單斜晶系，可在熔融氧化鋱／氧化鎂結晶時生成。^[3]

三氧化二鋱用鈣摻雜後是一種p型半導體。^[4]

製備

單質鋱與氧氣化合時產生七氧化四鋱，因此三氧化二鋱不能通過單質化合來製備。它一般是通過用氫氣還原七氧化四鋱而製得（1300°C，24小時^[5]）。^[6]

${\displaystyle {\rm {\ Tb_{4}O_{7}+H_{2}\rightarrow 2Tb_{2}O_{3}+H_{2}O}}}$

用途

純三氧化二鋱的用途很少。它可用作製取七氧化四鋱的原料。

參考資料

1. Curzon A.E., Chlebek H.G. The observation of face centred cubic Gd, Tb, Dy, Ho, Er and Tm in the form of thin films and their oxidation. J. Phys. F. 1973, 3 (1): 1–5. doi:10.1088/0305-4608/3/1/009.
2. N. C. Baenzinger, H. A. Eick, H. S. Schuldt, L. Eyring: Terbium Oxides. III. X-Ray Diffraction Studies of Several Stable Phases. In: Journal of the American Chemical Society, 1961, 83, 10, S. 2219-23.
3. E. Hubbert-Paletta, Hk. Müller-Buschbaum: Röntgenographische Untersuchung an Einkristallen von monoklinem Tb₂O₃. In: Zeitschrift fiir anorganische und allgemeine Chemie, 1968, 363, S. 145-150, doi:10.1002/zaac.19683630306.
4. Reidar Haugsrud, Yngve Larring, and Truls Norby. Proton conductivity of Ca-doped Tb
   2O
   3. Solid State Ionics (Elsevier B.V.). December 2005, 176 (39–40): 2957–2961. doi:10.1016/j.ssi.2005.09.030.
5. G. J. McCarthy. Crystal data on C-type terbium sesquioxide (Tb
   2O
   3). Journal of Applied Crystallography. October 1971, 4 (5): 399–400. doi:10.1107/S0021889871007295.
6. N. N. Greenwood, A. Earnshaw: Chemie der Elemente. 1. Auflage, VCH Verlagsgesellschaft, 1988, ISBN 3-527-26169-9.