化學機械平坦化維基百科,自由的 encyclopedia 化學機械平坦化 (英語:Chemical-Mechanical Planarization, CMP),又稱化學機械研磨(Chemical-Mechanical Polishing),是半導體器件製造工藝中的一種技術,使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。
化學機械平坦化 (英語:Chemical-Mechanical Planarization, CMP),又稱化學機械研磨(Chemical-Mechanical Polishing),是半導體器件製造工藝中的一種技術,使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。