3D XPoint（發音three dee cross point[1]）是一種由英特爾和美光科技於2015年7月宣布的非揮發性記憶體（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱為QuantX。它通常被認為是一種基於相變化記憶體的技術，但也有其他可能性被提出。[2]但是2021年3月、美光出售相關工廠，而2022年七月、Intel也宣布放棄此技術。
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該種技術的材料和物理細節尚未公布。位元存儲基於bulk電阻的變化，結合可堆疊的跨網格數據存取陣列。
美光的存儲解決方案副總裁說：「3D Crosspoint將是DRAM價格的一半左右，但會比NAND閃存貴4到5倍。」[3]相較NAND閃存，英特爾宣稱其有10倍的低延遲，3倍寫入耐久，4倍每秒寫入、3倍每秒讀取的性能提升，以及30%的功耗。[4][5]
背景與闡述
3D XPoint的開發始於2012年。英特爾和美光之前已開發了其他非易失性相變化記憶體（PCM）技術；[注 1]美光Mark Durcan說：3D XPoint架構不同於以前提供的PCM，並為閃存單元的選擇器和存儲部分採用硫族化物材料，從而比傳統的PCM材料（例如GST）更快、更穩定。[7]
截至2015年，英特爾或美光尚未提供該技術的完整細節，儘管該項技術已經聲明「不基於電子」。[8]3D XPoint已經被聲明使用電阻並且是位元可尋址。[9]類似Crossbar公司正在開發的可變電阻式記憶體，但3D XPoint存儲的物理結構不同。3D XPoint的開發商表示其基於「bulk材料的電阻變化」。[10]英特爾首席執行官Brian Krzanich回應了對XPoint材料的提問，稱切換是基於「bulk材料性能」。[11]英特爾已表示3D XPoint不使用相變或憶阻器技術。[12]
根據最近的一篇文章，「似乎沒有其他供應商有能比擬XPoint性能和耐用性的類似的電阻式內存/相變存儲器技術。」[13]
產品
在最初，由IM Flash Technologies LLC（英特爾-美光合資）運營的位於猶他州李海的晶圓廠在2015年生產了少量128 Gbit芯片，其堆疊兩個64 Gbit平面（plane）。[15][16]2016年初，IM Flash首席執行官Guy Blalock表示，芯片批量生產仍需約12至18個月。[17]
2015年中期，英特爾宣布基於3D XPoint技術的Optane品牌[18]，預計每位元價格將高於NAND但低於DRAM，具體仍取決於最終產品。[19]
2016年早期，IM Flash宣布其首個固態硬盤世代將達到9微秒潛伏時間、95000 IOPS吞吐量。[17]2016年英特爾開發者論壇上演示的PCI Express（PCIe）140GB開發板在基準測試方面顯示了相較於PCIe NAND SSD 2.4-3倍的改進。[20]
2017年初，英特爾公布了Optane品牌的中文名——閃騰，3月28日的發布會上，閃騰更名為傲騰。[21]產品會有固態硬盤和內存兩種方式。
3月19日，英特爾發布了傲騰固態硬盤——面向企業級數據中心的「Optane SSD DC P4800X」。[22][23]3月28日，英特爾發布了傲騰內存（Intel Optane Memory）。[注 2][24]
參見
- 混合存儲立方體 Hybrid Memory Cube
腳註
參考資料
外部連結
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