non-degenerate

semiconductors): 高摻雜 高的電子或電洞濃度 依循包利不相容原理(Pauli's exclusion principle) 非退化態半導體(Non degenerate semiconductors): 輕摻雜 較少的的電子或電洞濃度 違反包利不相容原理(Pauli's exclusion principle)

hot, non-DA pulsating degenerate, J. T. McGraw, S. G. Starrfield, J. Liebert, and R. F. Green, pp. 377–381 in White Dwarfs and Variable Degenerate Stars

hot, non-DA pulsating degenerate, J. T. McGraw, S. G. Starrfield, J. Liebert, and R. F. Green, pp. 377–381 in White Dwarfs and Variable Degenerate Stars

5太陽質量，核心的溫度最終會達到3α反應所需的溫度使氦成為碳。氦融合的啟動始於核心區域，這將導致立即的溫度上升，並迅速加速融合。在幾秒鐘內，核心成為非簡併物質（英语：non-degenerate），並且快速的膨脹，產生稱為氦閃的事件。非簡併態的核心能更順利的啟動核融合，並且不會發生氦閃。這個事件的輸出會被上面的電漿層吸收，所以從

126(2), 600–609. doi:10.1016/0021-9517(90)90023-d Yury V. Kissin (1994). Degenerate Non-primary Products in Catalytic Cracking of Isoalkanes. Journal of Catalysis