反应离子蚀刻(英文:Reactive-Ion Etching,或简写为RIE)是一种半导体生产加工工艺,它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料,来达到刻蚀的目的。气体在低压(真空)环境下由电磁场产生,等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。
此条目需要精通或熟悉相关主题的编者参与及协助编辑。 (2012年10月5日) |
此条目没有列出任何参考或来源。 (2012年10月5日) |
设备
RIE系统的典型的设备(平行板式)一般包括一个圆柱形真空室,真空室底部放置用来放晶片盘子。盘子与室体的其他部分绝缘。气体由小口注入真空室上部,由底部排出进入真空泵。气体的种类和多少取决于蚀刻的程序。比如,六氟化硫经常用来蚀刻硅。通过调节气体流速以及排气孔,气压一般被保持在几托(Torr)至几百托, 其他RIE系统包括感应耦合等离子体RIE(inductively coupled plasma 或者简称ICP RIE)。在这种系统中,气体由射频(RF)供能的磁场所产生。等离子体的浓度可达非常高,但是蚀刻会变得更加各向同性。 一个平行板式和感应耦合等离子体式所组合而成的RIE也是可以实现的。这一系统中,ICP用来产生高浓度等离子体来加快蚀刻速率,另一单独加在晶片(硅片)上的射频(RF)偏压用来产生定向电场,以达到各向异性的效果。
Wikiwand in your browser!
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.