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美国华裔物理学家、电器工程师 来自维基百科,自由的百科全书
卓以和(英语:Alfred Yi Cho,1937年7月10日—),籍贯北平,美国华裔物理学家,电器工程师,分子束外延(Molecular beam epitaxy)技术的鼻祖,量子级联激光器的共同发明人,对Ⅲ-V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。
卓以和 | |
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出生 | 1937年7月10日 (87岁) 北平市 |
母校 | |
职业 | 发明家 |
奖项 | 国家技术与创新奖章 (美国)、埃利奥特·克雷森奖章、IEEE荣誉奖章、拉姆福德奖、美国国家发明家名人堂、Morris N. Liebmann纪念奖、美国物理学会会士、詹姆斯·麦格罗蒂新材料奖、Willis E. Lamb Award |
卓以和于1937年生于北京。他的祖父卓定谋(字君庸)是中华民国第一届国大代表。1949年全家移住香港,就读于培正中学。
卓以和高中毕业后,留学美国,在伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校(University of Illinois at Urbana-Champaign)取得电机工程学士、硕士和博士学位。
卓以和的专长为应用物理科学和工程科学。主要的贡献是发明分子束外延(Molecular beam epitaxy)技术和量子级联激光器(Quantum cascade laser)。
卓以和目前担任美国Alcatel-Lucent贝尔实验室半导体研究所助理副总裁。目前并担任中华民国教育部、工研院、中研院物理所顾问。
卓以和曾获选为
获奖:
卓以和夫妇育有一儿三女。
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