半导体存储器

半导体存储器（semiconductor memory）是一种用于数字数据存储（英语：Digital Data Storage）的数字电路半导体器件，例如电脑记忆体。数据会存储在硅集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体(MOS)存储单元内^[1][2][3]。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常见的随机存取存储器（RAM）中其中一个是静态RAM（SRAM），它在每个存储单元使用多个MOS晶体管，另一个是动态RAM（DRAM），每个单元使用一个MOS晶体管和一个MOS电容。非易失性存储器（如EPROM、EEPROM和闪存）使用浮栅存储单元，每个单元由一个浮栅MOS 晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机访问的特性。 ^[4]

参考文献

1. The MOS Memory Market (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. 史密森尼学会. 1997 [16 October 2019]. （原始内容 (PDF)存档于2011-06-26）.
2. MOS Memory Market Trends (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. 史密森尼学会. 1998 [16 October 2019]. （原始内容 (PDF)存档于2019-10-16）.
3. Veendrick, Harry J. M. Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs. Springer. 2017: 314–5 [2022-03-29]. ISBN 9783319475974. （原始内容存档于2022-03-29）.
4. Lin, Wen C. CRC Handbook of Digital System Design, Second Edition. CRC Press. 1990: 225 [4 January 2016]. ISBN 0849342724. （原始内容存档于27 October 2016）.