IEEE西泽润一奖

IEEE西泽润一奖章
IEEE西泽润一奖章
原文名称	IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal
授予对象	表彰对材料与设备科技的突出贡献，包括实际应用面
国家／地区	美国
主办单位	电机电子工程师学会
首次颁发	2002年
官方网站	http://www.ieee.org/about/awards/medals/nishizawa.html

IEEE西泽润一奖章（英语：IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal），是一个2002年开始由电机电子工程师学会（IEEE）颁发的荣誉奖项，表彰“对材料与设备科技的突出贡献，包括实际应用面”的人物。此一奖项为纪念日本微电子之父、日本东北大学第17届校长西泽润一教授而设，他是光通信与半导体器件的先驱，对雷射、PIN二极管和电力用的静电感应晶闸管都有重要创新。

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奖项每年颁发一次，可由1人或1人以上获得，奖励领域以材料科学、设备技术为限。

日本电力会社协会是奖项的赞助者。

历年得主

2020: Paul Daniel Dapkus
2019: Yasuhiko Arakawa, Pallab Bhattacharya, and Dieter Bimberg
2018: 乔·C·坎贝尔（英语：Joe C. Campbell）
2017: 邓青云, 史蒂芬·R·福雷斯特（英语：Stephen R. Forrest）, 马克·E·汤普森（英语：Mark E. Thompson）^[1]
2016: 江刺正喜（日语：江刺正喜）^[2]
2015: 迪米特里·安东尼亚迪斯（英语：Dimitri Antoniadis）^[3]
2014: 弗兰兹·拉尔默（英语：Franz Laermer）^[4],安德烈亚·厄本（英语：Andrea Urban）^[5]
2013: 林本坚（英语：Burn-Jeng Lin）^[6] ^[7]
2012: 马克·T·波尔（英语：Mark T. Bohr）^[8], 罗伯特·S·赵（英语：Robert S. Chau）^[9], 塔希尔·加尼（英语：Tahir Ghani）^[10]
2011: 伯纳德·莱希纳（英语：Bernard Lechner）, T·彼得·布罗迪（英语：Peter Brody）, 罗方祯^[11]
2010: 理查德·M·斯万森（英语：Richard M. Swanson）^[12]
2009: 胡正明
2008: 沃尔夫冈·赫尔弗里希（英语：Wolfgang Helfrich）, 马丁·沙德（英语：Martin Schadt）, 詹姆斯·费格逊（英语：James Fergason）
2007: 尼古拉斯·弗兰斯·德·卢艾杰（英语：Nicolaas Frans De Rooij）^[13]
2006: 角南英夫^[14], 小柳光正^[15], 伊藤清男^[16]
2005: 杰里·伍道尔（英语：Jerry Woodall）^[17]
2004: 弗雷德里克·迪尔（英语：Frederick H. Dill）^[18]^[19]

参见条目

参考资料

[1]
IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal Recipients (PDF). IEEE. [2017年2月2日]. （原始内容 (PDF)存档于2013年10月16日）.
[2]
2016 IEEE Medals and Recognitions Recipients and Citations (PDF). IEEE. [2016年7月7日]. （原始内容 (PDF)存档于2016年5月9日）.
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http://www.pv-tech.org/news/sunpowers_cto_awarded_ieee_jun-ichi_nishizawa_medal （页面存档备份，存于互联网档案馆） SunPower’s CTO awarded IEEE Jun-ichi Nishizawa medal
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外部链接

官方网站（页面存档备份，存于互联网档案馆）

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