在超导体中,伦敦穿透深度(通常记作 λ {\displaystyle \lambda } 或 λ L {\displaystyle \lambda _{L}} )是指磁场穿进超导体中,并减弱为超导体表面处强度之 1 e {\displaystyle {\frac {1}{e}}} 时的深度。[1] 伦敦穿透深度一般为50至500奈米。 伦敦穿透深度是由伦敦方程和安培定律推导得出的。[1] 如果考虑一个超导介质占据x0,而弱外磁场B0作用在z方向。那么,超导体内的磁感应强度为: B ( x ) = B 0 exp ( − x λ L ) , {\displaystyle B(x)=B_{0}\exp \left(-{\frac {x}{\lambda _{L}}}\right),} [1] 其中, λ L {\displaystyle \lambda _{L}} 可以视为磁感应强度减弱原本 1 e {\displaystyle {\frac {1}{e}}} 时的深度,具体表达为: λ L = ( m μ 0 n q 2 ) 1 2 {\displaystyle \lambda _{L}=\left({\frac {m}{\mu _{0}nq^{2}}}\right)^{\frac {1}{2}}} ,[1] 其中, m {\displaystyle m} 为带电物体的质量, q {\displaystyle q} 为电荷, n {\displaystyle n} 为数量密度。 [1]Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics. John Wiley & Sons. 2004: 273–278. ISBN 978-0-471-41526-8. 伦敦方程 1935 金兹堡-朗道方程 1950