point-contact transistor

普凡想出了最早的一種點接式電晶體（英语：Point-contact transistor），他改良了西方電氣（英语：Western Electric）的1N26型點接二極體使其成為三極放大器，後來被稱為A型電晶體（Type A transistor）。 1973年，普凡成為第一位摩爾傑出成就固態科學科技獎章（英语：Gordon

Academy Press, 2002. ISBN 0-309-08408-3 John Bardeen, Nobelist, Inventor of Transistor, Dies. Washington Post. January 31, 1991 [August 3, 2007]. （原始内容存档于November

Invention of the Point-Contact Transistor. Computer History Museum. [2012-04-02]. （原始内容存档于2015-12-21）.  1948 - Conception of the Junction Transistor. Computer

1088/1742-6596/215/1/012194 （英语）.  Rowlinson, J. S. Thomas Andrews and the Critical Point. Nature. 1969, 224 (8): 541. Bibcode:1969Natur.224..541R. doi:10.1038/224541a0

1989年8月12日(1989歲—08—12)（79歲）  美国加利福尼亞州史丹福 国籍  美国 母校 加州理工學院 麻省理工學院 知名于 點接觸電晶體（英语：Point-contact transistor） 雙極性電晶體 蕭克利二極體方程式 奖项 諾貝爾物理獎 (1956) 康斯托克物理獎（英语：Comstock Prize in