抑制性突觸後神經電位（英語：Inhibitory postsynaptic potential，IPSP）是一種突觸後電位，可使突觸後神經元降低產生動作電位的可能。1950年代和1960年代，David P. Lloyd、John Eccles和RodolfoLlinás首先在運動神經元中研究IPS

在神經科學中，興奮性突觸後電位（英語：Excitatory postsynaptic potential，EPSP）是使突觸後神經元更有可能激發動作電位的突觸後電位。由於帶正電的離子流入突觸後細胞，導致突觸後膜電位的暫時去極化，是打開配體門控離子通道的結果。這與抑制性突觸後電位(IPSP)相反，抑制

鈉離子通道打開會刺激性後突觸勢能（英语：Excitatory postsynaptic potential）（EPSP）；鉀離子通道或氯離子通道（英语：Chloride channel）打開會壓抑性後突觸勢能（英语：Inhibitory postsynaptic potential）（IPSP） 代謝型受體比起 ionotropic

出強驚厥作用。在正常情況下，GABA作用於相應受體，使神經細胞膜的氯離子通透性增加而產生抑制性突觸後電位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)，神經細胞的興奮性亦相應下降。 另一方面，TETS可導致人體多器官損傷，提示其致毒機理尚未完全被探明。 Merck

K, Kurachi Y. Inward rectifier K+ channel Kir2.3 is localized at the postsynaptic membrane of excitatory synapses. Am. J. Physiol., Cell Physiol. Jun 2002