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長寬比
電影膠片格式（英语：List of film formats） 標準廣告尺寸 電腦顯示標準 通用解析度 像素長寬比 微影製程（英语：Photolithography）：蝕刻的長寬比例 高深寬比微結構技術（英语：HARMST） 輪胎代號（英语：Tire code） 渦輪增壓器葉輪尺寸 機翼展弦比 透鏡像散
1186/1860-5397-2-20. Cornell NanoScale Science & Technology Facility. CNF - Photolithography Resist Processes and Capabilities. [2008-01-29]. （原始内容存档于2019-09-07）
光罩護膜
DA, Li J, Ivan M, Zimmerman P. "157 nm pellicles (thin films) for photolithography: mechanistic investigation of the VUV and UV-C photolysis of fluorocarbons"
光刻
光刻工艺（英語：photolithography 或 optical lithography，台湾称为微影製程）是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含矽晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
噴入特定位置進行固相合成 (solid phase phosphoramidite chemistry), 另一種為使用電子晶片製作的光刻法（Photolithography），利用光罩控制反應光化學反應進行合成. 噴墨合成技術因合成時只需輸入座標與核酸序列, 不需前置成本, 所以應用彈性高, 主要合成探針長度為60-mer以上