Leakage (electronics)

思，原理就是在矽電晶體之間，加入絕緣體物質，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈，並減少電流漏電（英语：Leakage (electronics)）成為省電的IC，在製程上還可以省略部分光罩以節省成本，因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外，在SOI晶圓（SOI

充電或是放電，使其電壓大致等於輸入電壓（或和輸入電壓成正比）。在保持階段會將電容器和缓冲器切離，電容器在本質上會因為漏電流（英语：Leakage (electronics)）以及負載電流而放電，因此在本質上其實是揮發性記憶體，電壓會慢慢降低，但若在保持時間的電壓降夠小，在大部份的應用中已可以使用。

之间不存在任何材料，因此，电流流过真空。 在集成电路中使用的常规场效应晶体管中，由于随着小型化的进行栅绝缘膜的变薄，漏電流（英语：Leakage (electronics)）相对增加。 此外，由于硅的电子迁移率的限制，加速也受到限制。 当在外太空中使用时，还存在抗辐射的问题。

的異常點(abnormal)，視為電性缺陷，例如，在正電位模式下(Positive model)，亮點顯示待測元件為短路(short)或漏電(leakage)，暗點則為斷路(open)。 其工作原理是利用電子束直射待測元件，大量的電子瞬間累積於元件中，改變了元件的表面電位(surface potentail)，當表面電位大於0

mF）（10−3 F）。電容器的電容和導體的表面積成正比，和導體之間距離比反比。實務上，導體之間的介電質會通過微小的漏電流（英语：leakage (electronics)）。而介電質的電場強度也有上限，因此電容器會有崩潰電壓。而電容器中的導體及其引脚會產生不想要的等效串聯電感及等效串联电阻。