Indium gallium arsenide phosphide

xGa 1-xP）、砷化銦鎵（英语：Indium gallium arsenide）（In xGa 1-xAs）、磷砷化鎵銦（英语：Indium gallium arsenide phosphide）（In xGa 1-xAs yP 1-y）。 大部分的三五族化合物具有直接帶隙，帶隙介於1到3

of indium phosphide （页面存档备份，存于互联网档案馆） (Ioffe institute) InP conference series （页面存档备份，存于互联网档案馆） at IEEE Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help

磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP）也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在

（例如砷化镓）和三元化合物（例如砷化铟镓（英语：Indium gallium arsenide））甚至四元化合物（英语：Quaternary compound）（例如磷化鋁鎵銦（英语：Aluminium gallium indium phosphide）AlInGaP合金）。 氮化镓 砷化镓 砷化铟

砷化鎵 氮化鎵 磷化銦 磷化鋁銦鎵（英语：Aluminium gallium indium phosphide） 磷化銦鎵 磷砷化銦（英语：Gallium arsenide phosphide） Ioffe NSM data archive （页面存档备份，存于互联网档案馆）