电子注入增强栅晶体管(Injection enhanced gate transistor),简称IEGT,是一种结合了GTOIGBT元件优点的电子半导体器件,具有功率大、体积小、效率高、耐压值高、节能性高等特性。

IEGT最先由日本东芝于1993年所研发,并以注入式增强结构(Injection Enhanced,简称IE)技术,取得IEGT器件开发与生产专利,也使得东芝成为IEGT器件的主要生产与供应商。

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