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第三代双倍资料率同步动态随机存储器(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般称为DDR3 SDRAM),是一种存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的电压,是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存储器)的后继者(增加至八倍)。
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研发商 | JEDEC |
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类型 | SDRAM |
发布日期 | 2007年 |
前代机种 | DDR2 SDRAM |
后继机种 | DDR4 SDRAM |
DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快,使用SSTL 15的I/O接口,运作I/O电压是1.5V,采用CSP、FBGA封装方式包装,除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外,另外新增更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。
CWD是作为写入延迟之用,Reset提供超省电功能的命令,可以让DDR3 SDRAM存储器颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式,ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能,新增这个线路脚位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用来校准ODT(On Die Termination)内部终端电阻,新增SRT(Self-Reflash Temperature)可编程温度控制存储器主频功能,SRT的加入让存储器颗粒在温度、主频和电源管理上进行优化,可以说在存储器内,就做了电源管理的功能,同时让存储器颗粒的稳定度也大为提升,确保存储器颗粒不致于工作主频过高导致烧毁的状况,同时DDR3 SDRAM还加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以说针对整个存储器Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。
标准名称 | I/O总线时钟 (MHz) |
周期 (ns) |
内存时钟 (MHz) |
数据速率 (MT/s) |
传输方式 | 模块名称 | 极限传输率 (GB/s) |
比特宽 (比特) |
DDR3-800 | 400 | 10 | 100 | 800 | 并行传输 | PC3-6400 | 6.4 | 64 |
DDR3-1066 | 533 | 7 | 133 | 1066 | PC3-8500 | 8 | ||
DDR3-1333 | 666 | 6 | 166 | 1333 | PC3-10600 | 10 | ||
DDR3-1600 | 800 | 5 | 200 | 1600 | PC3-12800 | 12.8 | ||
DDR3-1866 | 933 | 4 | 233 | 1866 | PC3-14900 | 14 | ||
DDR3-2133 | 1066 | 3 | 266 | 2133 | PC3-17000 | 17 | ||
DDR3-2400 | 1200 | 300 | 2400 | PC3-19200 | 19.2 | |||
DDR3-2666 | 1333 | 333 | 2666 | PC3-21333 | 21 |
DDR3 SDRAM在存储器模块上,针对台式机开发出240pin DIMM模块、在笔记本电脑则是204pin SO-DIMM,更高的运作主频还有DDR3-1800、DDR3-2000、DDR3-2133和DDR3-2200四种。
所有基于JEDEC规范的DDR3内存模块都会配备SPD(serial presence detect)芯片,该芯片EEPROM存储于SMbus之上,其中包括内存模块将提供给系统的容量以及模块特征信息,包括电压,因此系统就能够借此固件信息兼容支持最新的DDR3L内存模块。
2010年7月26日,JEDEC发布DDR3L标准。[1]
DDR3的电压为1.5V,而DDR3L的电压为1.35V,存储器模块上会标记为PC3L。DDR3U的电压为1.25V,标记为PC3U。低电压RAM的用电量较少,但性能会弱于标压DDR3,主要用于笔记本电脑和Skylake微架构与更新的CPU。
DDR3L内存的SPD芯片里包含支持电压的数据,可根据主板内存插槽的支持自适应1.5V或者1.35V的工作电压。理论上2011年发布的Sandy Bridge与2010年发布的Calpella平台的1.5V内存插槽也能识别支持DDR3L内存条。但是,只有在2012年发布的Ivy Bridge或2013年发布的Haswell平台上,DDR3L内存条才能工作于1.35V电压。[2]