化合物半导体二元化合物(例如砷化镓)和三元化合物(例如砷化铟镓(英语:Indium gallium arsenide))甚至四元化合物(英语:Quaternary compound)(例如磷化鋁鎵銦(英语:Aluminium gallium indium phosphide)AlInGaP合金)。 氮化镓 砷化镓
磷化銦鎵磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體(HEMT)及异质结双极性晶体管(HBT)結構中,但也用在太空應用的高速率太陽能電池,若加入鋁(AlGaInP(英语:Aluminium gallium indium phosphide)合金)可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金。 Ga0
磷化鎵C),是矽晶元制程中柴可拉斯基法的變形。 砷化鎵 氮化鎵 磷化銦 磷化鋁銦鎵(英语:Aluminium gallium indium phosphide) 磷化銦鎵 磷砷化銦(英语:Gallium arsenide phosphide) Ioffe NSM data archive (页面存档备份,存于互联网档案馆)
砷化鎵epitaxy,MOVPE,也稱做有機金屬化學氣相沉積法),在砷化鎵上輕易地形成異質的結構,生長出砷化鋁或砷化鋁鎵(英语:Aluminium gallium arsenide)(AlxGa1-xAs)合金;且因為生長出的合金層應力小,所以幾乎可以任意調整生長厚度。 砷化鎵的另一個重要應用是高效率的太陽電池。1970年時,Zhores
磷化銦磷化銦因為有直接带隙(英语:direct bandgap),適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷(英语:indium gallium arsenide)為基礎的光電元件中的磊晶基板。 在面心立方(闪锌矿)晶體結構的化合物中,磷化銦有最長壽命的光學声子。 Template:Citation