5纳米制程是半导体制造制程的一个水准。在半导体器件制造中，《国际器件和系统路线图》将5纳米工艺定义为继7纳米之后MOSFET的又一技术节点。商用5纳米制程基于具有FinFET（鳍式场效应晶体管）的多闸极晶体管（MuGFET）技术，还有已得到证明的5纳米GAAFET（环绕栅场效应晶体管）技术，但尚未商业化。2020年9月15日，由台积电制造的Apple A14 Bionic成为首个公开发表的5纳米制程芯片[1]。
历史
英特尔最早在2009年的蓝图中规划于2020年推出此制程，[2]而后2019年的蓝图中更新为2023年推出[3]。但在节点改名后已无5nm规划(最接近为intel 3)。全球最大晶圆代工厂台积电（TSMC）和三星电子皆宣布5纳米制程将于2020年进入量产期，并将首先用于生产智能手机芯片[4]。2020年初，三星电子和台积电已经开始5纳米制程的有限风险试产，并在2020年底开始批量生产[5][6][7]。2020第一季台积电抢先投产，首款5nm产品为苹果A14。
后续优化的制程命名为4纳米[8]。2021年11月19日，联发科发表世界首款采用台积电4nm制程的天玑9000系列芯片[9]。比较高通的8Gen1（三星代工）与8+Gen1（台积电代工）的性能及功耗，可知三星的4纳米制程输给台积电。
以5纳米制程生产的芯片
- Apple A14 Bionic
- Apple A15 Bionic
- Apple A16 Bionic(4nm)
- Apple M1、M1 Pro、M1 Max、M1 Ultra
- Apple M2、M2 Pro、M2 Max
- 高通骁龙888/888 Plus
- 高通骁龙780G
- 高通骁龙7 Gen 1
- 高通骁龙7+ Gen 2
- 高通骁龙8 Gen 1/8+ Gen 1（4nm）
- 高通骁龙8 Gen 2 (4nm)
- 高通骁龙8 Gen 3 (4nm)
- 海思麒麟9000系列
- Google Tensor (Pixel 6 系列)
- Google Tensor G2 (Pixel 7 系列)
- 三星Exynos 2100/2200
- 三星Exynos 1080
- 三星Exynos 1280/1330/1380
- 联发科技天玑8000/8100, 9000/9000+, 8200, 9200/9200+, 9300, 7200（4nm）
- AMD基于Zen 4微架构的Ryzen CPU
- NVIDIA GeForce 40系列 GPU（4nm）
- AMD Radeon RX 7000系列显卡的图形计算核心（GCD）
参考文献
外部链接
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