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多闸极晶体管
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多闸极晶体管(英语:Mulitgate Device)是指集合了多个闸极于一体的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)。它可以用一个电极来同时控制多个闸极,亦可用多个电极单独控制各闸极。后者有时又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor(MIGFET)。多闸极晶体管被提出为的是克服半导体工业里摩尔定律(Moore's law)发展至今体积的缩小已经到达物理极限的难题。[1]
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相当多的公司和机构已经在积极发展多闸极晶体管,其中包含了超威半导体、日立、IBM、英飞凌、英特尔、台积电、飞思卡尔、加州大学伯克利分校等等,而ITRS预估多闸极晶体管将是32奈米以下重要的奠基石。[2]实现上主要的障碍来自于制造技术,不论是平面和非平面的设计都面临挑战,特别是显影以及图案化技术。其他伴随发展的包含了通道应力、硅上绝缘(SOI)以及高介电质/金属闸极材料。
双闸极晶体管广泛用于超高频混频器(VHF mixers)和超高频前端放大器(英语:RF front end)(VHF front end amplifiers)。制造商包含Motorola、NXP和Hitachi。[3][4][5]