Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ dữ liệu gấp đôi tiết kiệm năng lượng (Low-Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) còn gọi là LPDDR SDRAM, Low Power DDR, Mobile DDR hay mDDR là một loại SDRAM tốc độ dữ liệu gấp đôi cho máy tính di động.

Độ rộng bus

Giống như SDRAM tiêu chuẩn, mỗi thế hệ của LPDDR đã tăng gấp đôi kích thước tìm nạp nội bộ và tốc độ truyền tải bên ngoài. Tốc độ truyền tối đa là:

Thêm thông tin LPDDR1, LPDDR1E ...
Các thế hệ LPDDR
LPDDR1LPDDR1ELPDDR2LPDDR2ELPDDR3LPDDR3ELPDDR4LPDDR4E LPDDR5
Đồng hồ mảng bộ nhớ
(tốc độ truy cập nội bộ)
200 MHz266.67 MHz200 MHz266.67 MHz200 MHz266.67 MHz200 MHz266.67 MHz ?
Kích thước nạp trước 2n4n8n16n
Tần số đồng hồ bus I/O 200 MHz266.67 MHz400 MHz533.33 MHz800 MHz1067 MHz1600 MHz2134 MHz ?
Tốc độ truyền dữ liệu (DDR) 400 MT/s533.33 MT/s800 MT/s1066.67 MT/s1600 MT/s2133.33 MT/s3200 MT/s4266.67 MT/s 6400 MT/s
Điện áp cung cấp 1.8 V1.2 V, 1.8 V1.2 V, 1.8 V1.1 V, 1.8 V
Lệnh/địa chỉ bus 19 bits, SDR10 bits, DDR10 bits, DDR6 bits, SDR ?
Đóng

Thế hệ

LPDDR nguyên bản

LPDDR nguyên bản (đôi khi được gọi là LPDDR1) là một dạng DDR SDRAM được sửa đổi một chút với một số thay đổi để giảm mức tiêu thụ năng lượng tổng thể.

Đáng kể nhất, điện áp cung cấp đã giảm từ 2,5 xuống 1,8 V. Tiết kiệm bổ sung đến từ việc làm mới bù nhiệt độ (DRAM yêu cầu làm mới ít thường xuyên hơn ở nhiệt độ thấp), tự làm mới một phần mảng và chế độ "giảm điện sâu", hy sinh tất cả bộ nhớ nội dung.  Ngoài ra, chip nhỏ hơn, sử dụng ít diện tích bảng mạch hơn so với tương đương không di động của chúng. Samsung và Micron là hai trong số các nhà cung cấp chính của công nghệ này, được sử dụng trong các thiết bị máy tính bảng và điện thoại như iPhone 3GS, iPad đời đầu, Samsung Galaxy Tab 7.0 và Motorola Droid X.

LPDDR2

Thumb
Samsung K4P4G154EC-FGC1

Một tiêu chuẩn JEDEC mới JESD209-2E xác định giao diện LPDDR được điều chỉnh mạnh mẽ hơn. Nó không tương thích với DDR1 hoặc DDR2 SDRAM, nhưng có thể chứa một trong hai:

  • LPDDR2-S2: Bộ nhớ tìm nạp trước 2n (như DDR1),
  • LPDDR2-S4: Bộ nhớ tìm nạp trước 4n (như DDR2) hoặc
  • LPDDR2-N: Bộ nhớ không bay hơi (NAND flash).
Thêm thông tin CK, CA0 (RAS) ...
LPDDR2/LPDDR3 command encoding[1]
CK CA0
(RAS)
CA1
(CAS)
CA2
(WE)
CA3CA4CA5CA6CA7CA8CA9 Operation
HHHNOP
HHLHHPrecharge all banks
HHLHLBA0BA1BA2Precharge one bank
HHLHA30A31A32BA0BA1BA2Preactive
(LPDDR2-N only)
A20A21A22A23A24A25A26A27A28A29
HHLLBurst terminate
HLHreservedC1C2BA0BA1BA2Read
(AP=auto-precharge)
APC3C4C5C6C7C8C9C10C11
HLLreservedC1C2BA0BA1BA2Write
(AP=auto-precharge)
APC3C4C5C6C7C8C9C10C11
LHR8R9R10R11R12BA0BA1BA2Activate
(R0–14=Row address)
R0R1R2R3R4R5R6R7R13R14
LHA15A16A17A18A19BA0BA1BA2Activate
(LPDDR2-N only)
A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14
LLHHRefresh all banks
(LPDDR2-Sx only)
LLHLRefresh one bank
(Round-robin addressing)
LLLHMA0MA1MA2MA3MA4MA5Mode register read
(MA0–7=Address)
MA6MA7
LLLLMA0MA1MA2MA3MA4MA5Mode register write
(OP0–7=Data)
MA6MA7OP0OP1OP2OP3OP4OP5OP6OP7
Đóng

LPDDR3

Tháng 5 năm 2012, JEDEC công bố tiêu chuẩn thiết bị bộ nhớ năng lượng thấp JESD209-3.[2][3][4]

LPDDR4

Vào ngày 14 tháng 3 năm 2012, JEDEC đã tổ chức một hội nghị để khám phá các yêu cầu thiết bị di động trong tương lai sẽ thúc đẩy các tiêu chuẩn sắp tới như LPDDR4.[5] Ngày 30 tháng 12 năm 2013, Samsung đã thông báo rằng họ đã phát triển LPDDR4 loại 8 gibibit (1 GiB) đầu tiên có khả năng truyền dữ liệu với tốc độ 3.200 Mb/s trên mỗi pin, do đó cung cấp hiệu suất cao hơn 50% so với LPDDR3 nhanh nhất và tiêu thụ năng lượng ít hơn khoảng 40% ở 1,1 V.[6][7]

Thêm thông tin First cycle (CS=H), Second cycle (CS=L) ...
LPDDR4 command encoding[8]:151
First cycle (CS=H) Second cycle (CS=L) Operation
CA5CA4CA3CA2CA1CA0 CA5CA4CA3CA2CA1CA0
LLLLLL No operation
HLLLLL 0OP4OP3OP2OP11Multi-purpose command
ABHLLLL BA2BA1BA0Precharge (AB=all banks)
ABLHLLL BA2BA1BA0Refresh (AB=All banks)
HHLLL Self-refresh entry
BLLLHLL APC9BA2BA1BA0Write-1 (+CAS-2)
HLHLL Self-refresh exit
0LHHLL APC9BA2BA1BA0Masked Write-1 (+CAS-2)
HHHLL (reserved)
BLLLLHL APC9BA2BA1BA0Read-1 (+CAS-2)
C8HLLHL C7C6C5C4C3C2CAS-2
HLHL (reserved)
OP7LLHHL MA5MA4MA3MA2MA1MA0Mode Register Write-1 and -2
MA=Address, OP=Data
OP6HLHHL OP5OP4OP3OP2OP1OP0
LHHHL MA5MA4MA3MA2MA1MA0Mode Register Read (+CAS-2)
HHHHL (reserved)
R15R14R13R12LH R11R10R16BA2BA1BA0Activate-1 and -2
R9R8R7R6HH R5R4R3R2R1R0
Đóng

LPDDR4X

Bộ phận bán dẫn Samsung đã đề xuất một biến thể LPDDR4 có tên LPDDR4X.[9] LPDDR4X giống hệt LPDDR4 ngoại trừ năng lượng bổ sung được tiết kiệm bằng cách giảm điện áp I/O (Vddq) từ 1,1 V xuống 0,6 V.

LPDDR5

Vào ngày 19 tháng 2 năm 2019, JEDEC đã xuất bản JESD209-5, Tiêu chuẩn cho Tốc độ dữ liệu gấp đôi tiết kiệm năng lượng 5 (LPDDR5).[10]

Tham khảo

Liên kết ngoài

Wikiwand in your browser!

Seamless Wikipedia browsing. On steroids.

Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.

Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.