![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/0d/Schema_-_p-dotiertes_Silicium.svg/languk-640px-Schema_-_p-dotiertes_Silicium.svg.png&w=640&q=50)
Напівпровідник p-типу
З Вікіпедії, безкоштовно encyclopedia
Напівпровідни́к p-ти́пу — напівпровідник, в якому основними носіями заряду є дірки.
Ця стаття не містить посилань на джерела. (січень 2011) |
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/0d/Schema_-_p-dotiertes_Silicium.svg/640px-Schema_-_p-dotiertes_Silicium.svg.png)
Напівпровідники p-типу отримують методом легування власних напівпровідників акцепторами. Для напівпровідників четвертої групи періодичної таблиці, таких як кремній та германій, акцепторами можуть бути домішки хімічних елементів третьої групи — бор, алюміній.
Наприклад, якщо кремній легувати 3-валентним індієм, то для утворення зв'язків з кремнієм у індію не вистачає одного електрона, тобто утворюється дірка. Змінюючи концентрацію індію, можна в широких межах змінювати провідність кремнію, створюючи напівпровідник із заданими електричними властивостями. Такий напівпровідник називається напівпровідником p-типу, основними носіями заряду є дірки, а домішка індію, що утворює дірку, називається акцепторною.
Концентрація дірок у валентній зоні визначається температурою, концентрацією акцепторів, положенням акцепторного рівня над верхом валентної зони, ефективною густиною рівнів у валентній зоні.