![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/f9/MRAM-Cell-Simplified.svg/languk-640px-MRAM-Cell-Simplified.svg.png&w=640&q=50)
Магніторезистивна оперативна пам'ять
З Вікіпедії, безкоштовно encyclopedia
Магніторезисти́вна операти́вна па́м'ять (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запам'ятовуючий пристрій з довільним доступом, який зберігає інформацію за допомогою магнітних моментів, а не електричних зарядів.
Найважливіша перевага цього типу пам'яті — енергонезалежність, тобто здатність зберігати записану інформацію (наприклад, програмні контексти задач в системі і стан всієї системи) при відсутності зовнішнього живлення.
Технологія магніторезистивної пам'яті розробляється з 1990-х років. В порівнянні зі зростаючим об'ємом виробництва інших типів комп'ютерної пам'яті, особливо флеш-пам'яті і пам'яті типу DRAM, вона поки не так широко розповсюджена. Однак її прихильники вірять, що завдяки ряду переваг, вона зрештою замінить всі типи комп'ютерної пам'яті, і стане по-справжньому «універсальною» комп'ютерною пам'яттю.
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/f9/MRAM-Cell-Simplified.svg/640px-MRAM-Cell-Simplified.svg.png)