நேரடி அணுகல் நினைவகம்

சார்பிலாத் தெரிவு நினைவகம்(நேரடி அணுகல் நினைவகம் RAM) கணினி நினைவக வகையாகும். அது ஒருங்கிணைச் சுற்று(integrated circuits) ஒன்றின் வடிவத்தில் அமைவதுடன் சேமிக்கப்படும் தரவுகள் எந்த ஒழுங்கிலும் பெறத்தக்கவகையில் அமையும். சார்பிலாத் தெரிவு என்பது தரவுகள் சேமிக்கப்பட்ட ஒழுங்கு தவிர்த்த வேறு சார்பிலா ஒழுங்குகளிலும் தரவுகள் தெரியப்படலாம் என்பதாகும்.^[1][2][3]

தற்காலிக நினைவகம் சார்பிலாத் தெரிவு நினைவகம்

கணினியின் நினைவகம்

தற்காலிக நினைவகம்

DRAM, e.g. DDR SDRAM SRAM> Upcoming Z-RAM TTRAM Historical Williams tube Delay line memory

நிரந்தர நினைவகம்

ROM PROM EAROM EPROM EEPROM Flash memory Upcoming FeRAM MRAM CBRAM PRAM SONOS> RRAM Racetrack memory NRAM Historical Drum memory Magnetic core memory Plated wire memory Bubble memory Twistor memory

சார்பிலாத் தெரிவு நினைவகம் காந்த நாடா, காந்த வட்டு மற்றும் ஒளியியல் வட்டு போன்ற நினைவக முறைகளில் இருந்து வேறுபடுகிறது. இந்த இதர முறைகளில் வாசிப்பு கருவிகளின் பௌதிக அசைவு மூலமே தரவுகள் வாசிக்கப்படும். இதனால் இவற்றில் வாசிப்பு நேரத்தைவிட தரவு உள்ள இடத்தை அடைவு நேரமே(seek time) அதிகமாகும்.

RAM எனும் சொற்பதம் பெரும்பாலும் தற்காலிக நினைவகத்துடனேயே தொடர்புபடுத்தப்படுகிறது. இவற்றில் மின் இணைப்பு துண்டிக்கப்பட்டவுடன் சேமிக்கப்பட்ட தரவுகள் இழக்கப்படுவிடும். எனினும், வேறு வகையான நினைவகங்களும் RAM ஆகும், அதாவது நிலை நினைவகம்(ROM) போன்றனவும் சார்பிலாத் தெரிவு நினைவகம் என்றே வகைப்படுத்தப்படும். ஏனெனில் சார்பிலாத் தெரிவு என்பது வாசிப்பு முறை மட்டுமே.

வரலாறு

முதலாவது சார்பிலாத் தெரிவு வகை நினைவகம் 1951 ஆம் ஆண்டில் உருவாக்கப்பட்ட காந்த உள்ளக நினைவகம் (magnetic core memory) ஆகும், இது பின் 1960 ஆம் ஆண்டுகள் மற்றும் முன் 1970 ஆம் ஆண்டுகளில் ஒருங்கிணைச் சுற்று நினைவகம் உருவாக்கப்படும் வரை அனைத்து கணினிகளிலும் பயன்படுத்தப்பட்டு வந்தது. காந்த உள்ளக நினைவகம் உருவாக்கத்திற்கு முன்னர் கணினிகளில் நினைவக செயற்பாடுகளுக்கு அஞ்சல் சுற்று (relay) அல்லது வெற்றிட குழாய் (vacuum tube) பயன்படுத்தப்பட்டது. ஆரம்ப கணினிகள் சுற்றுக்களில் , அல்லது " முக்கிய " நினைவக செயல்பாடுகளை தாமதம் வரிகளை பயன்படுத்தப்படுகிறது. மீயொலி தாமதம் வரிகளை மட்டுமே எழுதப்பட்ட வரிசையில் தரவு இனப்பெருக்கம் முடியும் . டிரம் நினைவகம் குறைந்த செலவில் ஆனால் வேகம் மேம்படுத்த டிரம் உடல் அமைப்பை அறிவு தேவைப்படுகிறது அல்லாத தொடர்ச்சியான நினைவக பொருட்களை மீட்பு அன்று விரிவடைந்துள்ளது. LATCHES வெற்றிட குழாய் triodes கட்டப்பட்டுள்ளது , பின்னர் , தனித்தியங்கும் transistors வெளியே , போன்ற சீரற்ற அணுகல் பதிவு வங்கிகள் மற்றும் பதிவேடுகளை போன்ற சிறிய மற்றும் வேகமாக நினைவுகள் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இத்தகைய பதிவேடுகளை ஒப்பீட்டளவில் பெரிய , அதிகார பசி மற்றும் தரவு பெரிய அளவு பயன்படுத்த மிகவும் விலையுயர்ந்த ; போன்ற நினைவகம் ஆயிரம் பொதுவாக ஒரு சில நூறு அல்லது சில பிட்கள் வழங்க முடியும். நினைவகம் முதல் நடைமுறை வடிவம் 1947 இல் வில்லியம்ஸ் குழாய் தொடங்கும். இது ஒரு எதிர் முனை கதிர் குழாய் முகத்தில் மின்னியல் மின்னூட்டம் புள்ளிகள் தரவு சேமிக்கப்படும் . CRT யின் எலக்ட்ரான் கற்றை படித்து எந்த வரிசையில் குழாய் புள்ளிகள் எழுத முடியும் என்பதால், நினைவகம் சீரற்ற அணுகல் இருந்தது. வில்லியம்ஸ் குழாய் திறன் ஆயிரம் சுற்றி பிட்கள் ஒரு சில நூறு இருந்தது, ஆனால் அது வேகமாக , மிக சிறிய , மற்றும் அதிக சக்தி திறன் தனிப்பட்ட வெற்றிட குழாய் கண்டதே பயன்படுத்தி விட . இங்கிலாந்தின் மான்செஸ்டர் பல்கலைக்கழகத்தில் உருவாக்கப்பட்டது , வில்லியம்ஸ் குழாய் முதல் மின்னணு சேமிக்கப்படும் நினைவகம் திட்டம் முதல் வெற்றிகரமாக 21 ஜூன் 1948 அன்று ஒரு திட்டத்தை ஓடி மான்செஸ்டர் சிறுநிறுவனங்களுக்கான சோதனை இயந்திரம் ( SSEM ) கணினி , நடைமுறைப்படுத்தப்படும் எந்த நடுத்தர வழங்கப்படுகிறது . [ 1 ] உண்மையில், மாறாக SSEM வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது வருகின்றன வில்லியம்ஸ் குழாய் நினைவக விட , SSEM நினைவகம் நம்பகத்தன்மையை நிரூபிக்க ஒரு டெஸ்ட்பெட் இருந்தது. [ 2 ] [3] காந்த மைய நினைவகம் 1947 இல் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது மற்றும் 1970 களின் நடுப்பகுதியில் வரை உருவாக்கப்பட்டது. அன்போடும் மோதிரங்கள் ஒரு வரிசை நம்பியிருக்கிறது, நினைவகம் ஒரு பரவலான வடிவமாக மாறியது . ஒவ்வொரு வளையம் காந்தமாக்கும் உணர்வு மாற்றுவதன் மூலம், தரவு மோதிரத்தை ஒன்றுக்கு சேமிக்கப்படும் ஒரு பிட் சேமிக்க முடியும் . ஒவ்வொரு வளையம் தேர்வு மற்றும் அதை படிக்க அல்லது எழுத முகவரி கம்பிகள் ஆகியவற்றின் இருந்ததால், எந்த வரிசையில் எந்த நினைவக இடம் அணுகல் சாத்தியமாக இருந்தது . 1970 களின் ஆரம்பத்தில் தொடங்கி , ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள் உள்ள திட நிலை நினைவகம் இடம்பெயர்ந்த வரை காந்த மைய நினைவகம் நினைவக அமைப்பு நிலையான வடிவம் இருந்தது. ராபர்ட் எச் Dennard 1968 ல் மாறும் சீரற்ற அணுகல் நினைவக ( விக்கிபீடியாவில் ) கண்டுபிடித்தார்; ஒவ்வொரு நினைவகம் பிட் ஒரு ஒற்றை டிரான்சிஸ்டர் ஒரு 4 அல்லது 6 டிரான்சிஸ்டர் தாழ்ப்பாளை சுற்று இந்த அனுமதி பதிலாக, பெரிதும் மாறும் செலவில் நினைவக அடர்த்தி அதிகரிக்கும். தரவு ஒவ்வொரு டிரான்சிஸ்டர் சிறிய கொள்திறன் சேமிக்கப்படும் , மற்றும் அவ்வப்போது சார்ஜ் முன் ஒரு சில மில்லி விநாடிகளில் புதுப்பிக்கப்படும் நேர்ந்தது விட்டு கசிய முடியும் . முன்னதாக ஒருங்கிணைந்த வாசிப்பு மட்டும் நினைவகம் (ROM) சுற்றுகள், நிரந்தர (அல்லது வாசிக்க மட்டும் ) நினைவகம் அடிக்கடி முகவரி குறிவிலக்கிகளை இயக்கப்படுகிறது டையோடு வகைகளாலும் பயன்படுத்தி கட்டப்பட்டது , அல்லது சிறப்பாக காயம் கோர் கயிறு நினைவக விமானங்கள் வளர்ச்சிக்கு .

வகைகள்

நேரடி அணுகல் நினைவகம் இரண்டு வகைப்படும் அவை நிலையான நேரடி அணுகல் நினைவகம் மற்றும் மாறும் நேரடி அணுகல் நினைவகம் நிலையான நேரடி அணுகல் நினைவகம்-ல் ஒரு பிட் தகவல்-ஆனது ஆறு டிரான்சிஸ்டர்களை பயன்படுத்தி சேமிக்கப்படுகிறது. இந்தவகை நினைவகங்களை தயாரிக்க அதிக பொருட்செலவானவை ஆனால் இவைகள் குறைந்த ஆற்றலை பயன்படுத்தி அதிவேகமக செயல்படுகின்றன. மாறும் நேரடி அணுகல் நினைவகம்-ல் ஒரு பிட் தகவல்-ஆனது டிரான்சிஸ்டர் மற்றும் மின்தேக்கிகளை பயன்படுத்தி சேமிக்கப்படுகிறது. இந்தவகை நினைவகங்கள் மேல் குறிப்பிட்டதை விட குறைந்த பொருட்செலவானவை ஆகவே இவை தற்போதய நவீன கணினிகளில் அதிகமாக பயன்படுத்தப்படுகின்றன.

இவ்விரு நினைவகைங்களிளும் ஆற்றல் இல்லாதபோது தகவல்களை சேமித்துவைக்க முடியாது. அதாவது ஆற்றல் இல்லாதபோது அவை மீட்டமைக்கப்படும். மாறாக ROM தகவல்களை நிரந்தரமாக பதிவு செய்கிறது.

மேற்கோள்கள்

1. "RAM". Cambridge English Dictionary. பார்க்கப்பட்ட நாள் 11 July 2019.
2. "RAM". Oxford Advanced Learner's Dictionary. பார்க்கப்பட்ட நாள் 11 July 2019.
3. Gallagher, Sean (April 4, 2013). "Memory that never forgets: non-volatile DIMMs hit the market". Ars Technica. Archived from the original on July 8, 2017.