Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou
From Wikipedia, the free encyclopedia
From Wikipedia, the free encyclopedia
Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou (iné názvy: poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou, poľom riadený tranzistor s oxidom izolovaným hradlom, tranzistor MOSFET, skr. MOSFET alebo MOS-FET alebo MOS FET z angl. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) je druh tranzistora riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou kovu je oddelené od polovodiča dielektrickou vrstvou oxidu daného polovodiča.
Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z kremíka, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť oxid požadovaných vlastností.
Podľa typu vodivosti hradla delíme MOSFET na PMOS a NMOS. Vhodnou prípravou substrátu je možné získať v oboch polaritách FET tranzistory obohacovacieho aj ochudobňovacieho typu.
Kombináciou obidvoch typov tranzistorov v integrovaných obvodoch získame štruktúru CMOS, ktorá je základom takmer všetkých moderných digitálnych integrovaných obvodov.
MOS (z angl. Metal Oxide Semiconductor) je technológia výroby polovodičových súčiastok.
Commons ponúka multimediálne súbory na tému MOS(FET) |
Tento článok týkajúci sa elektrotechniky je zatiaľ „výhonok“. Pomôž Wikipédii tým, že ho doplníš a rozšíriš. |
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.
