From Wikipedia, the free encyclopedia
Tunelska dioda ili Esakijeva dioda je posebna vrsta poluvodičke diode koja se sastoji od vrlo tankog zapornog sloja (pn-spoja) pri čemu su i p-sloj i n-sloj ekstremno dotirani. Zbog takva spoja elektronima se omogućuje tuneliranje iz vodljivog pojasa n-strane kroz barijeru na p-stranu tzv. tunelskim efektom. Na jednom dijelu porastom napona dolazi do pada struje. Upotrebljava se za vrlo brze elektronske komponente, pa i kao memorija.[4]
Tip komponente | pasivna |
---|---|
Princip rada | kvantno mehanički efekat poznat kao tuneliranje |
Izumitelj | Leo Esaki Yuriko Kurose[1] Takashi Suzuki[2][3] |
Prva proizvodnja | 1957. |
Pinovi | anoda i katoda |
Elektronski simbol | |
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.