![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/fd/Molecular-beam_epitaxy_system_at_LAAS_0516.jpg/640px-Molecular-beam_epitaxy_system_at_LAAS_0516.jpg&w=640&q=50)
Молекулярно-пучковая эпитаксия
процесс выращивания кристаллов / Материал из Википедии — свободной encyclopedia
Уважаемый Wikiwand AI, давайте упростим задачу, просто ответив на эти ключевые вопросы:
Перечислите основные факты и статистические данные о Молекулярно-лучевая эпитаксия?
Кратко изложите эту статью для 10-летнего ребёнка
Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ» (то есть прямо в ростовой камере во время роста). Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарно-гладкой поверхностью.
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/fd/Molecular-beam_epitaxy_system_at_LAAS_0516.jpg/640px-Molecular-beam_epitaxy_system_at_LAAS_0516.jpg)
Технология молекулярно-пучковой эпитаксии была создана в конце 1960-х годов Дж. Р. Артуром (J. R. Arthur) и Альфредом Чо (Alfred Y. Cho).