![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/36/Heterojunction.gif/640px-Heterojunction.gif&w=640&q=50)
Гетеропереход
Материал из Википедии — свободной encyclopedia
Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников.
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/36/Heterojunction.gif/640px-Heterojunction.gif)
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c6/Hs1.gif/320px-Hs1.gif)
Особенностью зонной диаграммы гетероперехода является скачок края зоны проводимости на стыке (равный разности сродства к электрону в материалах) и скачок края валентной зоны, см. пример на рисунке. Существуют правила построения таких диаграмм.
Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе пары полупроводников — GaAs и его твердого раствора с AlAs -- AlxGa1-xAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlxGa1-xAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.
Модулированно-легированные гетероструктуры используют для получения двумерного электронного газа (на рисунке: ДЭГ) с высокой подвижностью, который необходим для исследований дробного квантового эффекта Холла, а также для создания полевых и биполярных транзисторов для сверхбыстрой электроники. Комбинируя материалы, можно также получить сверхрешётки с множественными квантовыми ямами, разделёнными барьерами.
Если полупроводники имеют разные постоянные решётки, возможно создание структур с самоформирующимися квантовыми точками на границе.