Фосфид индия

Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твёрдые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.

Фосфид индия
Общие
Хим. формула	InP
Физические свойства
Молярная масса	145.79 г/моль
Плотность	4.81 г/см³
Термические свойства
Температура
• плавления	1062 °C
Структура
Кристаллическая структура	кубическая, структура сфалерита
Классификация
Рег. номер CAS	22398-80-7
PubChem	31170
Рег. номер EINECS	244-959-5
SMILES	P#[In]
InChI	InChI=1S/In.P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
ChemSpider	28914 и 22199222
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
Медиафайлы на Викискладе

По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.

Ссылки

• ИНДИЯ ФОСФИД в «Большой энциклопедии Кирилла и Мефодия»
• http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/index.html