Премия Ника Холоньяка

Премия Ника Холоньяка (англ. Nick Holonyak, Jr. Award) — награда Оптического общества (OSA). Вручается за выдающиеся достижения в области оптики с использованием полупроводниковых устройств и материалов. Названа в честь учёного Ника Холоньяка. Учреждена в 1997 году^[1][2]. Награждение проводится с 1998 года. Медалью награждены два лауреата Нобелевской премии.

Ник Холоньяк, 2002 г.

Лауреаты

Год	Лауреат	Обоснование награды
1998	M. George Craford[англ.]	«За его фундаментальный вклад и руководство в области исследований и разработки материалов и устройств светодиодов (LED) видимого диапазона, включая первый жёлтый LED и высокоэффективные красные, оранжевые и жёлтые InAlGaP LED, которые превзошли по характеристикам лампу накаливания». Оригинальный текст (англ.) «For his pioneering contributions and leadership in the research and development of visible-wavelength light-emitting-diode (LED) materials and devices, including the first yellow LED and high-brightness, red-orange-yellow InAlGaP LEDs that exceed in performance the incandescent lamp»
1999	Дэнис Депп (англ. Dennis G. Deppe)	«За разработку лазера с вертикальным резонатором и поверхностным излучением с оксидным ограничением». Оригинальный текст (англ.) «For the development of the oxide-confined vertical cavity surface-emitting laser»
2000	Жорес Иванович Алфёров	«За оригинальные исследования инжекционных лазеров на основе гетероструктур и непрерывных полупроводниковых лазеров при комнатной температуре». Оригинальный текст (англ.) «For his original investigations of heterostructure injection lasers and cw room temperature semiconductor lasers»
2001	Сюдзи Накамура	«За оригинальную демонстрацию и коммерциализацию полупроводниковых лазеров и светодиодов на основе GaN». Оригинальный текст (англ.) «For original demonstration and commercialization of GaN-based semiconductor lasers and LEDs»
2002	Pallab K. Bhattacharya	«За фундаментальные вклады в разработку и понимание лазеров на основе квантовых точек и других фотонных устройств с квантовым ограничением». Оригинальный текст (англ.) «For fundamental contributions to the development and understanding of quantum-dot lasers and other quantum-confined photonic devices»
2003	Джо Чарльз Кемпбелл (англ. Joe Charles Campbell)	«За вклад в разработку быстродействующих, малошумных, лавинных фотодиодов». Оригинальный текст (англ.) «For contributions to the development of high-speed, low-noise avalanche photodiodes»
2004	Пётр Георгиевич Елисеев[3]	«За оригинальные и пионерские вклады в физику и технологию полупроводниковых лазеров, начиная с гомо-структур, затем переходя к гетероструктурам InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb и включая квантовые точки с ультравысоким порогом». Оригинальный текст (англ.) «For original and pioneering contributions to the physics and technology of semiconductor lasers, beginning with homojunctions, progressing to heterostructures of InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb and including ultra-low-threshold quantum-dot structures»
2005	P. Daniel Dapkus}})	«За основополагающие вклады в развитие металлоорганического химического осаждения из паровой фазы и его применение к лазерным устройствам на основе квантовых ям». Оригинальный текст (англ.) «For seminal contributions to the development of metalorganic chemical vapor deposition and its application to quantum well laser devices»
2006	James J. Coleman[англ.]	«За карьеру, наполненную вкладом в лазеры на основе квантовых ям и напряжённых слоёв полупроводников через инновационные методы эпитаксиального роста и новые конструкции устройств». Оригинальный текст (англ.) «For a career of contributions to quantum well and strained-layer semiconductor lasers through innovative epitaxial growth methods and novel device designs»
2007	Constance J. Chang-Hasnain[англ.]	«За вклад в управление диодными лазерами: массивы лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением, инжекционную синхронизацию и медленное световое излучение». Оригинальный текст (англ.) «For contributions to the control of diode lasers: vertical cavity surface emitting laser arrays, injection locking and slow light»
2008	Kam Yin Lau}})	«За основополагающий вклад в высокоскоростную прямую модуляцию полупроводниковых лазеров через усиленное дифференциальное оптическое усиление». Оригинальный текст (англ.) «For seminal contributions to high-speed direct modulation of semiconductor lasers through enhanced differential optical gain»
2009	John E. Bowers[англ.]	«За фундаментальные и технологические достижения в области активных гибридных кремниевых фотонных устройств, включая лазеры, модуляторы, усилители и кремниевые активные фотонные интегрированные схемы». Оригинальный текст (англ.) «For fundamental and technological advances in active hybrid silicon photonic devices including lasers, modulators, amplifiers and silicon based active photonic integrated circuits»
2010	Дан Ботз (англ. Dan Botez)	«За фундаментальный вклад в создание высокомощных полупроводниковых лазеров, включая активные фотонные кристаллические структуры для генерации мощного когерентного излучения; лазеры с дифракционной обратной связью и излучением с решеточной поверхностью с однообъемным лучом; а также высокомощные, высокоэффективные источники на основе технологии без алюминия». Оригинальный текст (англ.) «For fundamental contributions to high-power semiconductor lasers including active photonic-crystal structures for high coherent power generation; single-lobe grating-surface-emitting distributed-feedback lasers; and high-power, high-efficiency sources based on aluminum-free technology»
2011	Yasuhiko Arakawa[англ.]	«За основополагающий вклад в лазеры на основе квантовых точек и нанофотонные устройства». Оригинальный текст (англ.) «For seminal contributions to quantum dot lasers and nanophotonic devices»
2012	Кент Д. Шакут (англ. Kent D. Choquette)	«За вклад в разработку лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSEL)». Оригинальный текст (англ.) «For contributions to the development of vertical cavity surface-emitting lasers»
2013	Alessandro Tredicucci	«За демонстрацию терагерцового квантового каскадного устройства, первого компактного инжекционного лазера в дальнем инфракрасном диапазоне». Оригинальный текст (англ.) «For demonstrating a terahertz quantum cascade device, the first compact injection laser in the far infrared»
2014	Чин Тан	«За открытие эффективных органических светодиодов на тонких пленках (OLED), что привело к созданию новых продуктов для дисплеев и освещения». Оригинальный текст (англ.) «For the discovery of efficient thin-film organic light-emitting diodes (OLED), which has led to novel display and lighting products»
2015	Квин Ху (англ. Qing Hu)	«За фундаментальный вклад в создание высокоэффективных терагерцовых квантовых каскадных лазеров и их применение в изображении и сенсорах». Оригинальный текст (англ.) «For his pioneering contribution to high-performance THz quantum-cascade lasers and their applications in imaging and sensing»
2016	Chennupati Jagadish[англ.]	«За фундаментальные и устойчивые вклады в оптоэлектронные устройства на основе квантовых ям, квантовых точек и нанопроводов, а также их интеграцию». Оригинальный текст (англ.) «For pioneering and sustained contributions to quantum-well, quantum-dot and nanowire optoelectronic devices and their integration»
2017	Ларри Колдрен (англ. Larry A. Coldren)	«За значительный вклад в развитие фотонных интегрированных схем». Оригинальный текст (англ.) «For major contributions to photonic integrated circuits»
2018	Dieter Bimberg[нем.]	«За фундаментальные открытия в области роста и физики полупроводниковых наноструктур, приведшие к созданию новых нанофотонных устройств для информационных технологий и связи». Оригинальный текст (англ.) «For fundamental discoveries on growth and physics of semiconductor nanostructures leading to novel nanophotonic devices for information science and communications»
2019	Фумиё Куяма (англ. Fumio Koyama)	«За фундаментальный вклад в фотонику и интеграцию VCSEL (поверхностных излучающих лазеров с вертикальным резонатором)». Оригинальный текст (англ.) «For seminal contributions to VCSEL photonics and integration»
2020	Kei May Lau[англ.]	«За значительный вклад в гетероэпитаксию соединительных полупроводников на кремнии для будущих интегрированных лазеров и развитие области микроэкранов на основе светодиодов». Оригинальный текст (англ.) «For significant contributions to hetero-epitaxy of compound semiconductors on silicon for future integrated lasers and advancing the field of light-emitting diode microdisplays»
2021	Martin D. Dawson[англ.]	«За широкомасштабный вклад в развитие и применение полупроводниковых устройств III-V группы, включая микро-SV-светодиоды на основе нитрида галлия и оптически накачиваемые полупроводниковые лазеры». Оригинальный текст (англ.) «For wide-ranging contributions to the development and application of III-V semiconductor devices especially including gallium nitride micro-LEDs and optically-pumped semiconductor lasers»
2022	Маршал Натан (англ. Marshall I. Nathan)	«За работу по созданию диодных лазеров на основе GaAs и инновационные вклады в области соединительных полупроводников и лазерной физики». Оригинальный текст (англ.) «For his pioneering work in creating GaAs diode lasers and inventive contributions to compound semiconductors and laser physics»
2023	Ишайаху Фэйнман (англ. Yeshaiahu Fainman)	«За исследования вклад в наномасштабную науку и технику ультра-малых, субмикрометровых полупроводниковых источников света и нанолазеров для применения в системах обработки информации». Оригинальный текст (англ.) «For pioneering contributions to nanoscale science and engineering of ultra-small, sub-micrometer semiconductor light emitters and nanolasers for information processing systems applications»
2024	Теодор Мустакас (англ. Theodore D. Moustakas)	«За вклад в исследования материалов на основе нитридных полупроводников и оптические устройства, которые стали основой для создания синих и ультрафиолетовых светодиодов». Оригинальный текст (англ.) «For pioneering contributions to nitride semiconductor materials and optical devices that helped build the foundation for blue and UV LEDs»
2025	Цзэтянь Ми (англ. Zetian Mi)	«За выдающийся вклад в разработку широкозонных наноструктур для испускания света и генерации энергии». Оригинальный текст (англ.) «For outstanding contributions to the engineering of wide energy gap nanostructures for light emission and energy generation applications»