Двуреченский, Анатолий Васильевич
советский и российский физик Из Википедии, свободной энциклопедии
Анато́лий Васи́льевич Двуре́ченский (род. 10 апреля 1945, Барнаул) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1988), профессор (1993), член-корреспондент РАН (2008), член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, заместитель директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (2000), заведующий Лабораторией неравновесных полупроводниковых систем (1987)[1][2].
| Анатолий Васильевич Двуреченский | |
|---|---|
 | |
| Дата рождения | 10 апреля 1945 (79 лет) |
| Место рождения | |
| Страна | |
| Род деятельности | физик |
| Научная сфера | физика полупроводников |
| Место работы | |
| Альма-матер | |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (1988) |
| Учёное звание |
профессор (1993), член-корреспондент РАН (2008) |
| Награды и премии |
   |
| Сайт | isp.nsc.ru/24/Dvurechens… |
Специалист в области радиационной физики, атомной структуры и электронных явлений в полупроводниковых низкоразмерных системах, микро-, опто− и наноэлектроники[3]. Автор и соавтор более 380 научных публикаций[4]. Имеет более 4000 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша (2021 год) — 28[5].
Биография
Суммиров вкратце
Перспектива
А. В. Двуреченский родился 10 апреля 1945 года в Барнауле[4]. Старший из трёх сыновей в семье Василия Арсентьевича Двуреченского[6] и Ефросиньи Григорьевны Двуреченской.
Закончил школу в Бийске[6] с серебряной медалью. Поступил в НГУ в 1963 года[7]. На выбор кафедры оказали влияние лекции А. Ф. Кравченко в ИФП[8].
В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета[4] и начал работать в лаборатории радиационной физики Института физики полупроводников СО АН СССР (ИФП СО РАН). А. В. Двуреченский защитил кандидатскую диссертацию по теме «Взаимодействие дефектов, введённых ионной бомбардировкой, между собой и примесью» в 1974 году[4]. В 1988 году защитил докторскую диссертацию по теме «Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния»[4].
С 1987 года А. В. Двуреченский возглавляет Лабораторию неравновесных полупроводниковых систем в ИФП СО РАН[4]. В 1988 году вместе с коллегами из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе и ФИАН становится лауреатом Государственной премии СССР за «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твёрдых тел („лазерный отжиг“)»[3]. С 1987 года учёный работает на физическом факультете НГУ и преподаёт на кафедре физики полупроводников, на которой разработал и читает спецкурсы «Радиационная физика полупроводников» и «Физические основы нанотехнологии». В 1991 году стал профессором этой кафедры. В 1993 году ему присвоено звание профессора по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков»[9].
А. В. Двуреченский с 2002 года занимает должность заместителя директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН по научной работе[4][8]. В 2008 году был избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН по специальности «наноэлектроника»[3]. Также в рамках международного сотрудничества он работал в университете штата Нью-Йорк в Олбани, исследовательском центре Россендорфа, фуданьском университете. С 2012 года является членом комиссии по развитию физики Международного Союза Фундаментальной и Прикладной Физики (IUPAP)[9].
А. В. Двуреченский является заместителем председателя Научного совета РАН по теме «Радиационная физика твердого тела», членом научных советов РАН по проблемам «Физика полупроводников» и «Физико-химические основы материаловедения полупроводников». Учёный состоит в редколлегии журналов «Известия ВУЗов, материалы электронной техники», «Успехи прикладной физики», является заместителем председателя диссертационного совета по защитам докторских и кандидатских диссертаций при ИФП СО РАН, а также руководителем ряда программ СО РАН и членом Экспертного совета ВАК по физике[9].
Под руководством А. В. Двуреченского защищено 12 кандидатских и 6 докторских диссертационных работ. Является автором и соавтором более 380 научных публикаций, включая главы в 9 коллективных монографиях, 10 авторских свидетельств и трёх патентов[9].
Супруга — Серафима Яковлевна. Дочь — Елена[6].
Научный вклад
Суммиров вкратце
Перспектива
Основные научные интересы А. В. Двуреченского относятся к радиационной физике, атомной структуре и электронным явлениям в полупроводниках и полупроводниковых низкоразмерных системах, технологиям полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Ключевые области его исследований[10]:
- атомная и электронная конфигурация дефектов, вводимых в полупроводники при облучении быстрыми частицами;
- синтез полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков;
- гетероструктуры с квантовыми точками, квантовыми ямами;
- лазерный отжиг[10].
Значительная часть работ была посвящена разработке метода и технологии легирования полупроводников с помощью ионной имплантации и нейтронного облучения. Важным достижением стало открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твёрдых тел («лазерный отжиг»). Это позволило восстанавливать кристаллическую структуру ионно-легированных полупроводниковых пластин после импульсного лазерного воздействия[10] и контролировать распределение квантовых точек в наноструктурах по размерам[11].
А. В. Двуреченский исследовал морфологические изменения поверхности при росте из молекулярных и ионно-молекулярных пучков с последующим лазерным отжигом. Он разработал технологию создания нового класса полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками в системе германий/кремний[10].
Библиография
- Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л. С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с. (в соавт.)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1980. 292 с. (в соавт.)
- Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М., 1982. 208 с. (в соавт.)
- Двуреченский А. В. Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг) // Соросовский образовательный журнал. — 2004. — Т. 8, № 1. — С. 1—7.
- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2007. 367 с. (в соавт.)
- A survey of semiconductors radiation techniques. Moscow: Mir, 1982. 288 p.
- Intersubband Infrared photodetectors, selected topics in electronics and systems. N. Jersey; L.; Singapore; Hong Kong: Word scientific, 2003. Vol. 27. 937 c. (в соавт.)
- Toward the first silicon laser. Dordrecht;·Boston;·L.: Kluver acad. publ., 2003. 482 p. (в соавт.)
- Handbook of semiconductor nanostructures and nanodevices. North Lewis Way, Stevenson Ranch, California: Am. scient. publ., 2006. Vol. 1. 515 p. (в соавт.)
- Nanoscaled semiconductor-on-insulator structures and devices. Dordrecht: Springer, 2007. 369 p. (в соавт.)
Общественная позиция
Подписал открытое письмо учёных президенту России В. В. Путину, выражающее обеспокоенность кризисом фундаментальной науки после реформы РАН в 2013 году. В письме критикуются негативные последствия этой реформы и предлагаются меры по восстановлению единства системы научных институтов и РАН, увеличению финансирования, повышению роли учёных в управлении наукой[12].
Награды и почётные звания
- Международная премия Академий наук СССР и ГДР (1988)[4] в составе авторов за цикл совместных работ «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники»[9][13].
- Государственная премия СССР (1988)[4] в составе авторов за цикл работ «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел („лазерный отжиг“)»[3][13].
- Почётные грамоты РАН (1999, 2004), Министерства образования и науки РФ (2007), города Новосибирска (2014, 2015)[9].
- Премия Правительства РФ в области образования (2014)[9][14][4].
- Почётная грамота Президента Российской Федерации (2024) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук[15]
- Почётная грамота Российской академии наук (23 апреля 2024) — за многолетний плодотворный труд на благо отечественной науки, значительный вклад в развитие фундаментальных и прикладных научных исследований в области полупроводников, физики конденсированного состояния, полупроводниковой микро- и наноэлектроники, квантовых технологий и в связи с 60-летием основания федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Примечания
Литература
Ссылки
Wikiwand - on
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.