Loading AI tools
химическое соединение Из Википедии, свободной энциклопедии
Арсени́д алюми́ния (AlAs) — бинарное неорганическое химическое соединение алюминия и мышьяка. Применяется для создания оптоэлектронных приборов (светодиодов, полупроводниковых лазеров, фотоприёмников). В гетероструктурах с арсенидом галлия — для изготовления сверхбыстродействующих транзисторов.
| Арсенид алюминия | |
|---|---|
 Элементарная ячейка кристаллов типа цинковой обманки Al As | |
| Общие | |
| Систематическое наименование |
арсенид алюминия |
| Хим. формула | AlAs |
| Рац. формула | AlAs |
| Физические свойства | |
| Состояние | твёрдое вещество |
| Молярная масса | 101,903 г/моль |
| Плотность | 3,81 г/см³ |
| Твёрдость | ~5 (по Моосу) |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 1740 °C |
| Оптические свойства | |
| Показатель преломления | 3 (ИК) |
| Структура | |
| Координационная геометрия | тетраэдрическая |
| Кристаллическая структура |
кубическая, типа сфалерита, |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 22831-42-1 |
| PubChem | 89859 и 24803550 |
| Рег. номер EINECS | 245-255-0 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 81112 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
При нормальных условиях оранжевые кристаллы c кристаллической решеткой типа цинковой обманки (сфалерита), пространственная группа T2d-F-43m, постоянная решетки 0,566 нм.
Непрямозонный полупроводник с шириной запрещённой зоны 2,15 эВ при 300 K. Подвижность электронов ~1200 см2В−1с−1 и их эффективная масса ~ 0,7 me[2].
При комнатной температуре устойчив в сухом воздухе. Нерастворим в воде, но реагирует с ней (особенно быстро с горячей) или с водяным паром с образованием гидроксида алюминия и арсина. Пыль воспламеняется от контакта с водой.
Бурно реагирует даже со слабыми кислотами с образованием соответствующей соли алюминия и арсина.
Получают путём длительного нагревания порошков алюминия и мышьяка без доступа воздуха:
Синтез этого соединения, особенно крупных монокристаллов затруднён вследствие очень высокой температуры плавления и агрессивности алюминия при этой температуре. Сообщалось, что некоторым исследователям удалось вырастить монокристаллы AlAs из расплава, наилучшие образцы таких кристаллов с дырочным типом проводимости имели концентрацию носителей ~1019 см−3[3].
Перспективный полупроводниковый материал для применения в оптоэлектронике, например, для создания полупроводниковых лазеров и др. (см. выше). Недостаток AlAs по сравнению с другими полупроводниовыми материалами типа III-V (GaAs, GaP) — трудность выращивания больших монокристаллов и нестабильность свойств приборов на его основе, обусловленное взаимодействием этого соединения с влагой воздуха.
Постоянные решёток AlAs и GaAs почти равны, что способствует выращиванию малодислокационных монокристаллических плёнок AlAs на GaAs, что позволяет создавать гетеропереходы и сверхрешётки[4] с исключительно высокой подвижностью зарядов, что применяется в СВЧ-приборах, например, в транзисторах с высокой подвижностью электронов[5] и других приборах, использующих эффекты квантовой ямы.
Весьма ядовит при попадании внутрь, так как при реакции с желудочным соком образуется чрезвычайно ядовитый арсин. Негорюч. Хранить в герметичных сосудах, для избежания взаимодействия с влагой воздуха.
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.
