High-k
Материал из Википедии — свободной encyclopedia
High-k — технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (3,9). Реально применяющиеся в электронике материалы с высокой проницаемостью получили наименование «альтернативных диэлектриков», среди них диоксид циркония и диоксид гафния (для обоих проницаемость около 25). Название «high-k» происходит от не совсем стандартного обозначения диэлектрической проницаемости буквой (каппа), которая из-за не всеобщей распространённости греческих шрифтов заменилась латинской
. Правильное произношение: «хай-кэй», но нередко произносят «хай-ка». Традиционно для проницаемости используется символ
(эпсилон), но термин «high-
» не прижился.