![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b6/Lithographie_EUV.jpg/640px-Lithographie_EUV.jpg&w=640&q=50)
Фотолитография в глубоком ультрафиолете
Материал из Википедии — свободной encyclopedia
Фотолитография в глубоком ультрафиолете (Extreme ultraviolet lithography, EUV, EUVL[1] — экстремальная ультрафиолетовая литография[2]) — вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов фотолитографии следующего поколения[англ.]. Использует свет экстремального[англ.] ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм, то есть почти рентгеновское излучение. Для создания рисунка используется лазерная импульсная плазма капель олова (Sn), отражающая фотомаска и экспонирование подложки, покрытой фоторезистом. В настоящее время он применяется только в самых передовых полупроводниковых устройствах[уточнить].
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b6/Lithographie_EUV.jpg/320px-Lithographie_EUV.jpg)
По состоянию на 2023 год ASML является единственной компанией, которая производит и продаёт системы EUV для производства микросхем, ориентируясь на технологические нормы 5 и 3 нм.
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/cd/EUV_photoelectrons_and_secondaries_%28vector%29.svg/350px-EUV_photoelectrons_and_secondaries_%28vector%29.svg.png)
EUV-излучение, отраженное от рисунка маски, поглощается резистом и подложкой, образуя фотоэлектроны и вторичные электроны. Эти электроны увеличивают интенсивность химических реакций в резисте.
На оптическое изображение накладывается случайный по своей природе вторичный электронный рисунок. Нежелательное воздействие вторичных электронов приводит к потере разрешения, наблюдаемой шероховатости края линии и изменению ширины линии.