![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/34/Scheme_of_metal_oxide_semiconductor_field-effect_transistor.svg/langro-640px-Scheme_of_metal_oxide_semiconductor_field-effect_transistor.svg.png&w=640&q=50)
Tranzistor unipolar
From Wikipedia, the free encyclopedia
Tranzistorul cu efect de câmp (prescurtat TEC; în engleză field effect transistor, FET) este un dispozitiv electronic semiconductor folosit pentru a comanda valoarea curentului electric dintr-un circuit. Funcționarea lui se bazează pe modificarea conductibilității unui canal realizat într-un material semiconductor prin aplicarea unui câmp electric de comandă. Întrucît conducția electrică este asigurată de un singur tip de purtători electronici de sarcină, asemenea dispozitive se numesc și tranzistoare unipolare.
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/34/Scheme_of_metal_oxide_semiconductor_field-effect_transistor.svg/320px-Scheme_of_metal_oxide_semiconductor_field-effect_transistor.svg.png)
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/a2/ROS02.jpg/640px-ROS02.jpg)
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/7b/SD211.jpg/640px-SD211.jpg)
Variația conductibilității canalului, accesibil prin terminalele numite sursă și drenă, se realizează prin aplicarea unei tensiuni între un al treilea terminal numit poartă sau grilă și substratul dispozitivului, astfel realizându-se, modificarea dimensiunii transversale a canalului semiconductor sau a concentrației de purtători electronici din acesta.
Există mai multe tipuri de tranzistoare unipolare, în funcție de modul de realizare a grilei. Cele mai frecvente configurații sunt:
- o joncțiune invers polarizată, în tranzistoarele numite TEC-J sau JFET (J înseamnă joncțiune), unde curentul de grilă are valori de ordinul zecilor de nanoamperi;
- o grilă izolată, în tranzistoarele TEC-MOS sau MOS-FET (MOS denumește structura metal-oxid-semiconductor), cu un curent de grilă de ordinul zecilor de picoamperi.
În raport cu tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de câmp au avantajul unei impedanțe de intrare mari, întrucît curentul de grilă (de comandă) este mult mai mic. În plus, tehnologia de fabricație este mai simplă și în circuitele integrate de pe cip ocupă o arie mai mică.