ഡിഡിആർ എസ്ഡിറാം

ഇരട്ട ഡാറ്റാ നിരക്ക് സിൻക്രണസ് ഡൈനാമിക് റാൻഡം-ആക്സസ് മെമ്മറി, ഔദ്യോഗികമായി ഡിഡിആർ എസ്ഡിറാം(DDR SDRAM) എന്ന് ചുരുക്കിപ്പറയുന്നു, കമ്പ്യൂട്ടറുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന മെമ്മറി ഇന്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകളുടെ ഇരട്ട ഡാറ്റ നിരക്ക് (ഡിഡിആർ) സിൻക്രണസ് ഡൈനാമിക് റാൻഡം-ആക്സസ് മെമ്മറി (എസ്ഡിറാം) ക്ലാസാണ്. ഡിഡിആർ എസ്ഡിറാം, മുൻ‌കാലാടിസ്ഥാനത്തിൽ ഡിഡിആർ1 എസ്ഡിറാം എന്നും വിളിക്കുന്നു, ഡി‌ഡി‌ആർ 2 എസ്ഡിറാം, ഡി‌ഡി‌ആർ 3 എസ്ഡിറാം, ഡി‌ഡി‌ആർ 4 എസ്ഡിറാം എന്നിവയുടെ വരവോടെ ഡിഡിആർ1 എസ്ഡിറാം നിർത്തലാക്കി. അതിന്റെ പിൻഗാമികളാരും ഡി‌ഡി‌ആർ 1 എസ്‌ഡി‌ആർ‌എമ്മുമായി മുന്നോട്ടോ പിന്നോട്ടോ പൊരുത്തപ്പെടുന്നില്ല, അതായത് ഡി‌ഡി‌ആർ 2, ഡി‌ഡി‌ആർ 3, ഡി‌ഡി‌ആർ 4 മെമ്മറി മൊഡ്യൂളുകൾ ഡി‌ഡി‌ആർ 1 സജ്ജീകരിച്ച മദർ‌ബോർഡുകളിൽ പ്രവർത്തിക്കില്ല, തിരിച്ചും.

ഡിഡിആർ എസ്ഡിറാം
ഇരട്ട ഡാറ്റ നിരക്ക് സിൻക്രണസ് ഡൈനാമിക് റാൻഡം-ആക്സസ് മെമ്മറി

Comparison of DDR modules for desktop PCs (DIMM).
Developer	Samsung
Type	Synchronous dynamic random-access memory
Generations	DDR2 DDR3 DDR4 DDR5
Release date	DDR: 1998 DDR2: 2003 DDR3: 2007 DDR4: 2014 DDR5: 2019 (estimated)
Specifications
Voltage	DDR: 2.5/2.6 DDR2: 1.8 DDR3: 1.5/1.35 DDR4: 1.2/1.05

സിംഗിൾ ഡാറ്റ റേറ്റുമായി (എസ്‌ഡി‌ആർ) എസ്‌ഡി‌ആർ‌എമ്മുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, ഡി‌ഡി‌ആർ എസ്‌ഡി‌റാം ഇന്റർഫേസ് ഇലക്ട്രിക്കൽ ഡാറ്റയുടെയും ക്ലോക്ക് സിഗ്നലുകളുടെയും സമയത്തെ കൂടുതൽ കർശനമായി നിയന്ത്രിക്കുന്നതിലൂടെ ഉയർന്ന കൈമാറ്റ നിരക്ക് സാധ്യമാക്കുന്നു. ആവശ്യമായ സമയ കൃത്യതയിലെത്താൻ നടപ്പാക്കലുകൾക്ക് പലപ്പോഴും ഫേയ്സ്-ലോക്ക്ഡ് ലൂപ്പുകൾ, സ്വയം കാലിബ്രേഷൻ എന്നിവ പോലുള്ള സ്കീമുകൾ ഉപയോഗിക്കേണ്ടതുണ്ട്.^[1][2] ലോക്ക് ഫ്രീക്വൻസിയിൽ അനുബന്ധ വർദ്ധനവ് ഇല്ലാതെ ഇരട്ട ഡാറ്റാ ബസ് ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത് ഇരട്ടിയാക്കുന്നതിന് ഇന്റർഫേസ് ഇരട്ട പമ്പിംഗ് (ക്ലോക്ക് സിഗ്നലിന്റെ ഉയരുന്നതും വീഴുന്നതുമായ അരികുകളിൽ ഡാറ്റ കൈമാറുന്നു) ഉപയോഗിക്കുന്നു. ക്ലോക്ക് ഫ്രീക്വൻസി കുറയ്ക്കുന്നതിന്റെ ഒരു ഗുണം, മെമ്മറി കൺട്രോളറുമായി ബന്ധിപ്പിക്കുന്ന സർക്യൂട്ട് ബോർഡിലെ സിഗ്നൽ ഇന്റഗ്രറ്റി ആവശ്യകതകൾ കുറയ്ക്കുന്നു എന്നതാണ്. ഈ ഇരട്ട പമ്പിംഗ് കാരണം ഒരു നിശ്ചിത ക്ലോക്ക് ഫ്രീക്വൻസിയുള്ള ഒരു ഡി‌ഡി‌ആർ എസ്‌ഡി‌ആർ‌എം ഒരേ ക്ലോക്ക് ഫ്രീക്വൻസിയിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്ന ഒരു എസ്‌ഡി‌ആർ എസ്‌ഡി‌റാമിന്റെ ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത് ഇരട്ടി നേടുന്നു എന്ന വസ്തുതയെ "ഇരട്ട ഡാറ്റ നിരക്ക്" എന്ന പേര് സൂചിപ്പിക്കുന്നു. ഒരു സമയം 64 ബിറ്റുകൾ ഡാറ്റ കൈമാറ്റം ചെയ്യപ്പെടുന്നതോടെ, ഡി‌ഡി‌ആർ എസ്‌ഡി‌ആർ‌എം (മെമ്മറി ബസ് ക്ലോക്ക് റേറ്റ്) × 2 (ഇരട്ട നിരക്കിന്) × 64 (കൈമാറ്റം ചെയ്ത ബിറ്റുകളുടെ എണ്ണം) / 8 (ബിറ്റുകളുടെ എണ്ണം) / ബൈറ്റ്). അങ്ങനെ, 100 മെഗാഹെർട്സ് ബസ് ആവൃത്തിയിൽ, ഡിഡിആർ എസ്ഡിറാമിന്റെ പരമാവധി ട്രാൻസ്ഫർ നിരക്ക് 1600 എം‌ബി / സെ. ആണ്.

ചരിത്രം

ഒരു സാംസങ് ഡിഡിആർ എസ്ഡിറാം 64 എംബിറ്റ് ചിപ്പ്

1980 കളുടെ അവസാനത്തിൽ ഐ‌ബി‌എം ഡ്യുവൽ എഡ്ജ് ക്ലോക്കിംഗ് സവിശേഷത ഉപയോഗിച്ച് ഡ്രാമുകൾ നിർമ്മിക്കുകയും അവയുടെ ഫലങ്ങൾ 1990 ലെ ഇന്റർനാഷണൽ സോളിഡ്-സ്റ്റേറ്റ് സർക്യൂട്ട് കൺവെൻഷനിൽ അവതരിപ്പിക്കുകയും ചെയ്തു.^[3][4]

സാംസങ് 1997 ൽ ആദ്യത്തെ ഡി‌ഡി‌ആർ മെമ്മറി പ്രോട്ടോടൈപ്പ് പ്രദർശിപ്പിക്കുകയും ^[5] 1998 ജൂൺ മാസത്തിൽ ആദ്യത്തെ വാണിജ്യ ഡി‌ഡി‌ആർ എസ്‌ഡി‌ആർ‌എം ചിപ്പ് (64 എം‌ബി) പുറത്തിറക്കുകയും ചെയ്തു, ^[6][7][8] തൊട്ടുപിന്നാലെ ഹ്യുണ്ടായ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് (ഇപ്പോൾ എസ്‌കെ ഹൈനിക്സ്) അതേ വർഷം തന്നെ പുറത്തിറക്കുകയും ചെയ്തു.^[9]ഡി‌ഡി‌ആറിന്റെ വികസനം 1996 ൽ ആരംഭിച്ചു, അതിന്റെ സവിശേഷത ജെഡെക് 2000 ജൂണിൽ അന്തിമമാക്കുന്നതിന് മുമ്പ് (ജെഇഎസ്ഡി 79). ^[10] ഡി‌ഡി‌ആർ എസ്‌ഡി‌ആർ‌എമ്മിന്റെ ഡാറ്റാ നിരക്കിനായി ജെഡെക് മാനദണ്ഡങ്ങൾ നിശ്ചയിച്ചിട്ടുണ്ട്, ഇത് രണ്ട് ഭാഗങ്ങളായി തിരിച്ചിരിക്കുന്നു. ആദ്യ സവിശേഷത മെമ്മറി ചിപ്പുകൾക്കും രണ്ടാമത്തേത് മെമ്മറി മൊഡ്യൂളുകൾക്കുമാണ്. ഡി‌ഡി‌ആർ എസ്‌ഡി‌ആർ‌എം ഉപയോഗിക്കുന്ന ആദ്യത്തെ റീട്ടെയിൽ പിസി മദർബോർഡ് 2000 ഓഗസ്റ്റിൽ പുറത്തിറങ്ങി.^[11]

സവിശേഷത

4 ഡി‌ഡി‌ആർ സ്ലോട്ടുകൾ

ഹീറ്റ് സ്പ്രെഡറുകളുള്ള കോർസെയർ ഡിഡിആർ -400 മെമ്മറി

ഫിസിക്കൽ ഡി‌ഡി‌ആർ ലേഔട്ട്

പോർട്ടബിൾ / മൊബൈൽ പിസികൾക്കുള്ള മെമ്മറി മൊഡ്യൂളുകളുടെ താരതമ്യം (SO-DIMM).

മൊഡ്യൂളുകൾ

മെമ്മറി ശേഷിയും ബാൻഡ്‌വിഡ്‌ത്തും വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിന്, ഒരു മൊഡ്യൂളിൽ ചിപ്പുകൾ സംയോജിപ്പിക്കുന്നു. ഉദാഹരണത്തിന്, ഡിമ്മിനായുള്ള 64-ബിറ്റ് ഡാറ്റ ബസിന് സമാന്തരമായി അഡ്രസ്സ് ചെയ്യുന്ന എട്ട് 8-ബിറ്റ് ചിപ്പുകൾ ആവശ്യമാണ്. സാധാരണ അഡ്രസ്സ് ലൈനുകളുള്ള ഒന്നിലധികം ചിപ്പുകളെ മെമ്മറി റാങ്ക് എന്ന് വിളിക്കുന്നു. ചിപ്പ് ആന്തരിക വരികളുമായും(internal rows) ബാങ്കുകളുമായും ആശയക്കുഴപ്പം ഉണ്ടാകാതിരിക്കാനാണ് ഈ പദം അവതരിപ്പിച്ചത്. ഒരു മെമ്മറി മൊഡ്യൂളിന് ഒന്നിലധികം റാങ്കുകൾ വഹിക്കാം. മൊഡ്യൂളിൽ ചിപ്പുകളുടെ ഫിസിക്കൽ പ്ലെയ്‌സ്‌മെന്റ് തെറ്റായി നിർദ്ദേശിക്കുന്നതിനാൽ വശങ്ങൾ(sides) എന്ന പദം ആശയക്കുഴപ്പത്തിലാക്കും. എല്ലാ റാങ്കുകളും ഒരേ മെമ്മറി ബസിലേക്ക് (വിലാസം + ഡാറ്റ) ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു. നിർദ്ദിഷ്ട റാങ്കിലേക്ക് കമാൻഡുകൾ നൽകാൻ ചിപ്പ് സെലക്ട് സിഗ്നൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു.

സിംഗിൾ മെമ്മറി ബസിലേക്ക് മൊഡ്യൂളുകൾ ചേർക്കുന്നത് മൂലം അതിന്റെ ഡ്രൈവറുകളിൽ അധിക വൈദ്യുത ലോഡ് സൃഷ്ടിക്കുന്നു. തത്ഫലമായുണ്ടാകുന്ന ബസ് സിഗ്നലിംഗ് നിരക്ക് കുറയ്ക്കുന്നതിനും മെമ്മറി തടസ്സങ്ങൾ മറികടക്കുന്നതിനും പുതിയ ചിപ്‌സെറ്റുകൾ മൾട്ടി-ചാനൽ ആർക്കിടെക്ചർ ഉപയോഗിക്കുന്നു.

അവലംബം

1. Northwest Logic DDR Phy datasheet Archived 2008-08-21 at the Wayback Machine.
2. "Memory Interfaces Data Capture Using Direct Clocking Technique (Xilinx application note)" (PDF). xilinx.com.
3. Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann. 2008. p. 333. ISBN 9780080553849. {{cite book}}: Unknown parameter |authors= ignored (help)
4. "A 50-ns 16-Mb DRAM with a 10-ns data rate and on-chip ECC". IEEE Journal of Solid-State Circuits. 25 (5): 1118. 1990. Bibcode:1990IJSSC..25.1118K. doi:10.1109/4.62132. {{cite journal}}: Unknown parameter |authors= ignored (help)
5. "Samsung 30 nm Green PC3-12800 Low Profile 1.35 V DDR3 Review". TechPowerUp. March 8, 2012. Retrieved 25 June 2019.
6. "Samsung Electronics Develops First 128Mb SDRAM with DDR/SDR Manufacturing Option". Samsung Electronics. Samsung. 10 February 1999. Retrieved 23 June 2019.
7. "Samsung Electronics Comes Out with Super-Fast 16M DDR SGRAMs". Samsung Electronics. Samsung. 17 September 1998. Retrieved 23 June 2019.
8. "Samsung Demonstrates World's First DDR 3 Memory Prototype". Phys.org (in അമേരിക്കൻ ഇംഗ്ലീഷ്). 17 February 2005. Retrieved 23 June 2019.
9. "History: 1990s". SK Hynix. Archived from the original on 2021-02-05. Retrieved 6 July 2019.
10. "The Love/Hate Relationship with DDR SDRAM Controllers".
11. "Iwill Reveals First DDR Motherboard - PCStats.com". www.pcstats.com. Archived from the original on 2016-11-07. Retrieved 2019-09-09.