Silicon carbide

Brief History of Silicon Carbide”. University of London.  Material Safety Data Sheet Archived 2018년 6월 29일 - 웨이백 머신 for Silicon Carbide Moissanite on Mindat

절편표면을 내경 20 mm 아크릴 몰드에 레진을 이용하여 매몰한 후, 상아질이 노출될 때까지 절편표면을 냉각수 공급하에 silicon carbide paper를 이용하여 80-2000 grid까지 단계적으로 연마하였다. 50개의 시편을 준비하여 동일한 경도와 조도를 지닌

클래스(Selberg class) 슈피커 중심(Spieker center) 시에르핀스키 상수(Sierpiński constant) 염화 나트륨(Sodium chloride) 탄화 규소(Silicon carbide) sc는 다음 뜻을 가지고 있다. 사르데냐어의 ISO 639 언어 부호

탄화 텅스텐(Tungsten carbide, WC)은 강회색의 빛깔을 띠는 강인하고 단단한 물질이다. 탄화텅스텐은 일반적으로 탄소 분말과 텅스텐 분말을 1400~1600℃에서 반응시켜 분말상태로 얻어낸다. 다른 방법으로는 삼산화텅스텐을 900~1200℃에서 일산화탄소

PE 유닛으로부터 분리해 전력 소모를 6~8% 줄이는 동시에 다이나믹한 운전을 즐길수 있도록 하였다. 인버터는 SiC(Silicon Carbide) 전력 반도체 소자를 활용, 우수한 전력 효율과 정교한 제어를 통해 주행거리를 5% 증가시켰다. 자동변속기는 컬럼식으로