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에사키 레오나
일본의 물리학자 / From Wikipedia, the free encyclopedia
에사키 레오나(일본어: 江崎 玲於奈, 1925년 3월 12일[2] ~ )는 일본의 물리학자이다. 해외에서는 레오 에사키(Leo Esaki, レオ・エサキ)라는 이름으로도 알려져 있다.
간략 정보 출생, 국적 ...
![]() 일본 학사원에서 제공한 사진 | |
출생 | 1925년 3월 12일(1925-03-12)(99세)[1][2] 오사카부[2] 나카카와치군 다카이다촌 (현: 히가시오사카시) |
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국적 | 일본 |
주요 업적 | |
수상 | |
분야 | |
소속 |
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간략 정보 에사키 레오나, 일본어식 한자 표기 ...
에사키 레오나 | |
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일본어식 한자 표기 | 江崎 玲於奈 |
가나 표기 | えさき れおな |
국립국어원 표준 표기 | 에사키 레오나 |
통용 표기 | 에사키 레오나 |
로마자 | Reona Esaki |
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1958년 소니의 전신인 도쿄통신공업주식회사에 근무하던 시절에 연구한 반도체 PN 접합에서 터널링 효과를 발견한 공로로 1973년에 이바르 예베르, 브라이언 데이비드 조지프슨과 함께 노벨 물리학상을 수상했다.[3] 이 터널링 효과를 이용한 소자가 터널 다이오드(일명 ‘에사키 다이오드’)이다.