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Ion beam
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半導体工学
PVD(物理気相成長法) MBE(分子線エピタキシー法) エピタキシャル成長 イオン注入 フォトリソグラフィ(パターニング) エッチング FIB(focused
ion
beam
) CMP(化学機械研磨) メタライズ(配線) 多層配線 製造時の欠陥検出 テストパターン 工程管理 ダイシング パッケージング(組立)
イオンエンジン
Marrese-Reading, Jay Polk, Juergen Mueller, Al Owens. “In-FEEP Thruster
Ion
Beam
Neutralization with Thermionic and Field Emission Cathodes”. 2022年2月24日閲覧。
ナノリソグラフィ
版)は高エネルギーの(He+のような)軽イオンを集束イオンビームまたは太いビームで表面にパターンを転写する。イオンビームプロミティリソグラフィ
Ion
Beam
Proximity Lithography (IBL)を使用する事によりナノスケールのパターンを平坦ではない表面に転写可能である。 中性粒子リソグラフィNeutral
重イオン
射して得られた不安定核を二次ビームとしてあつかうRIビーム等がある。 重粒子線の一種である炭素イオン線(たんそイオンせん、英語:carbon
ion
beam
)は、炭素原子を加速器で高速に加速したものである。 放射線医学総合研究所と兵庫県立粒子線医療センターは炭素イオン線と陽子線を用いてがん治療をし
集束イオンビーム
集束イオンビーム(しゅうそくイオンビーム、FIB、Focused
Ion
Beam
)は、イオンを電界で加速したビームを細く絞ったものである。 集束イオンビームは、微細加工、蒸着、観察などの用途に用いられる。 微細加工用のFIB装置では、ガリウム(Ga)イオンビームが用いられている。集束イオンビームを